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講演抄録/キーワード
講演名 2012-06-22 14:20
触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いて成長したZnO/a-Al2O3膜の電気伝導特性 ~ 二層モデルによる解析 ~
永冨瑛智山口直也加藤孝弘長岡技科大)・梅本宏信静岡大)・安井寛治長岡技科大EMD2012-9 CPM2012-26 OME2012-33
抄録 (和) 白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギー$H_2O$を生成、アルキル亜鉛ガスと衝突させ形成した高エネルギーZnOプリカーサを基板に供給、サファイアA面基板上にZnO結晶膜を成長させた。様々な厚さのZnO膜を成長させそれらの電気伝導特性を調べたところ、約3$\mu$mまで膜厚の増加に伴い移動度は大きくなった。格子ミスマッチの大きなサファイア基板上では、成長初期に高欠陥密度の縮退層が形成されていると考えられるため、膜上部の高品位結晶層と下部の縮退層からなるという二層モデルを用いて高品位結晶層の移動度を求めたところ膜全体の測定値より大きな値になると評価された。ただ、二層モデルでは完全には補正できていないことも推察された。 
(英) Electrical properties of ZnO thin films, which were grown through a reaction between dimethylzinc and high-energy $H_2O$ produced by a Pt-catalyzed $H_2$ $O_2$ reaction, were measured. The films were grown directly on a-plane (11-20) sapphire substrates at 773 K without a buffer layer. As electron mobility increased with film thickness until approximately 3$\mu$m, it was presumed that the ZnO films were composed of an initial growth layer with high density of defects and an upper layer with excellent crystallinity. By using a two-layer model, we estimated the electron mobility in the upper layer. The electron mobility, however, cannot be completely revised by the two-layer model.
キーワード (和) ZnO / CVD / / / / / /  
(英) ZnO / CVD / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 96, CPM2012-26, pp. 7-11, 2012年6月.
資料番号 CPM2012-26 
発行日 2012-06-15 (EMD, CPM, OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EMD2012-9 CPM2012-26 OME2012-33

研究会情報
研究会 EMD CPM OME  
開催期間 2012-06-22 - 2012-06-22 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 材料デバイスサマーミーティング 
テーマ(英) Summer meeting for materials and devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2012-06-EMD-CPM-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いて成長したZnO/a-Al2O3膜の電気伝導特性 
サブタイトル(和) 二層モデルによる解析 
タイトル(英) Electronic properties of ZnO thin films grown on a-sapphire substrates using high-energy H2O generated by a catalytic reaction 
サブタイトル(英) Analysis using a two layer model 
キーワード(1)(和/英) ZnO / ZnO  
キーワード(2)(和/英) CVD / CVD  
キーワード(3)(和/英) /  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 永冨 瑛智 / Eichi Nagatomi / ナガトミ エイチ
第1著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. Technol.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 直也 / Naoya Yamaguchi / ヤマグチ ナオヤ
第2著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. Technol.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 孝弘 / Takahiro Kato / カトウ タカヒロ
第3著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. Technol.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 梅本 宏信 / Hironobu Umemoto / ウメモト ヒロノブ
第4著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 安井 寛治 / Kanji Yasui / ヤスイ カンジ
第5著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. Technol.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2012-06-22 14:20:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 EMD2012-9, CPM2012-26, OME2012-33 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.95(EMD), no.96(CPM), no.97(OME) 
ページ範囲 pp.7-11 
ページ数
発行日 2012-06-15 (EMD, CPM, OME) 


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