講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-08-09 09:50
ラジカル反応を応用した低温でのSiNx膜の作製 ○武山真弓・佐藤 勝(北見工大)・中田義弘・小林靖志・中村友二(富士通研)・野矢 厚(北見工大) CPM2012-45 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2012-45 |
抄録 |
(和) |
3次元LSIにおいては、LSIプロセス後にTSVを作製するビア・ラストプロセスが理想的である。そのためには、絶縁膜であるSiNx膜と拡散バリヤ膜を200℃以下で作ることが要求される。それに対して、SiNx膜の低温プロセスは従来技術において300~350℃程度であり、新たな成膜手法が待たれている。そこで本研究では、スパッタ法にラジカル反応を組み合わせた新たな手法によりSiNx膜の作製を試みた。この手法は既に拡散バリヤに適用可能であり、優れたバリヤ特性を実現できる有用な手法である。SiNx膜の成膜においても、200℃以下の低温でSiNx膜が成膜でき、かつラジカル処理条件を変化させることで、酸素や炭素を意図的に取り込めることが明らかとなった。これらのことから、SiNx膜と拡散バリヤ膜を低温で作製できること、用途に応じてSiNx膜の組成等を変化させられる見通しがついた。 |
(英) |
3-dimensional stacked LSI is of high interest to overcome the issues how to develop the integration density and/or functional value of LSIs without depending upon the scaling down of circuit size. Through-Si-Vias (TSVs) is an essential wiring technology to stack chips or wafers to form 3-D LSIs. In the ‘via last process’, it is exactly ideal, the TSV wiring is formed after performing all LSI processes. In this process, deposition of a SiNx film and a diffusion barrier should be executed at low temperatures below 200°C to avoid the deterioration of circuits already formed; however, this is one of the difficult issues, because a temperature of 300~350°C is required to form SiNx by the conventional processes reported so far. In this study, we propose a new deposition method, in which a sputter-deposited thin Si film is nitrided by assisting radical species. This method is already confirmed to be useful to form thin diffusion barrier of high performance at low temperatures. We can demonstrate the formation of thin SiNx films below 200°C. The intentional incorporation of carbon and oxygen atoms into the film is also available in this method. Subsequent deposition of SiNx and barrier layers at low temperatures is possible by the method, which provides a way to realize ‘via last process’ in TSV technology. |
キーワード |
(和) |
3次元LSI / シリコン貫通ビア配線 / SiNx膜 / 低温作製 / ラジカル反応 / / / |
(英) |
3-dimensional stacked LSI / Through Si via / SiNx film / low temperature process / radical reaction / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 175, CPM2012-45, pp. 51-54, 2012年8月. |
資料番号 |
CPM2012-45 |
発行日 |
2012-08-01 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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