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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-10-26 13:50 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜へのCVD低温バッファー層挿入効果 ○小柳貴寛・竹澤和樹・加藤孝弘（長岡技科大）・片桐裕則・神保和夫（長岡高専）・安井寛治（長岡技科大）  CPM2012-94 |
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| 抄録 | （和） | 白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギーH_{2}Oを生成、アルキル亜鉛ガスと衝突させ形成した高エネルギーZnOプリカーサを基板に供給、ガラス基板上にZnO結晶膜を成長させた。サファイア基板上と異なりガラス基板上への直接成長では結晶配向性や表面モフォロジーが大きく悪化するために低温バッファー層の挿入により特性が改善出来ないか調べた。結果として、CVDによる低温バッファー層を挿入することで結晶配向性の改善は見られなかったが、直接成長膜に比べ移動度が大きいZnO膜が得られた。 |
| （英） | ZnO thin films were grown through a reaction between dimethylzinc and high-energy H_{2}O produced by a Pt-catalyzed H_{2}-O_{2} reaction. For the application of transparent conductive thin films, the ZnO films were grown on glass substrates with and without low temperature buffer layers deposited at 200˚C. Although crystal orientation along c-axis was not improved by the insertion of the buffer layer, Hall mobility was improved. | |
| キーワード | （和） | ZnO / 触媒反応 / CVD / 表面モフォロジー / 光透過率 / 抵抗率 / / |
| （英） | ZnO / catalytic reaction / CVD / surface morphology / optical transparency / resistivity / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 265, CPM2012-94, pp. 7-11, 2012年10月. | |
| 資料番号 | CPM2012-94 | |
| 発行日 | 2012-10-19 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2012-94 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2012-10-26 - 2012-10-27 |
| 開催地（和） | まちなかキャンパス長岡 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2012-10-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜へのCVD低温バッファー層挿入効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of a low-temperature buffer layer on the properties of ZnO films grown on glass substrates using catalytically generated high-energy H2O |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ZnO / ZnO |
| キーワード(2)（和/英） | 触媒反応 / catalytic reaction |
| キーワード(3)（和/英） | CVD / CVD |
| キーワード(4)（和/英） | 表面モフォロジー / surface morphology |
| キーワード(5)（和/英） | 光透過率 / optical transparency |
| キーワード(6)（和/英） | 抵抗率 / resistivity |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小柳 貴寛 / Takahiro Oyanagi / オヤナギ タカヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technol (略称： Nagaoka Univ. Technol) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹澤 和樹 / Kazuki Takezawa / タケザワ カズキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technol (略称： Nagaoka Univ. Technol) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 孝弘 / Takahiro Kato / カトウ タカヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technol (略称： Nagaoka Univ. Technol) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 片桐 裕則 / Hironori Katagiri / カタギリ ヒロノリ |
| 第4著者 所属（和/英） | 長岡工業高等専門学校 (略称： 長岡高専) Nagaoka National College of Technology (略称： NNCT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 神保 和夫 / Kazuo Jimbo / ジンボ カズオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 長岡工業高等専門学校 (略称： 長岡高専) Nagaoka National College of Technology (略称： NNCT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安井 寛治 / Kanji Yasui / ヤスイ カンジ |
| 第6著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technol (略称： Nagaoka Univ. Technol) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-10-26 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2012-94 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.265 |
| ページ範囲 | pp.7-11 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-10-19 (CPM) |
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