講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-10-26 17:30
Ni/Si系におけるモノシリサイドとジシリサイドのマルチフェーズ形成 ○野矢 厚・武山眞弓・佐藤 勝・徳田 奨(北見工大) CPM2012-102 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2012-102 |
抄録 |
(和) |
あらまし Ni/Si固相反応系におけるシリサイド形成を調べた。通常この系では反応温度の増加に伴ってNi2Si→NiSi→NiSi2の順に相形成がなされるが、これはNiが拡散種であり、拡散に伴うアモルファス合金組成がNi-Si系2元相図に存在する1番深い共晶点(46at.%Si:964℃)に近い組成となったところからNi2Siが初期形成されることによる。そこで、よりSi-richな2番目の共晶点(56.2at.%Si:966℃)を意図的に作ることを目的に、基板温度を350℃としてNiを堆積することにより、Niの組成勾配を持った拡散層をあらかじめ作り、引き続き400℃で熱処理することによりNiSiのSi基板側にNiSi2が共存する形態でマルチフェーズを実現できた。このことは、NiSi→NiSi2への相転移が、この相の凝縮に律速されているという過程のみでなくkineticsにも依存していることを示すことができた。 |
(英) |
Abstract Silicides nucleation in a Ni/Si system was investigated. In this system, generally, a phase sequence of Ni2Si→NiSi→NiSi2 is found by increasing the reaction temperature. This is due to diffusion of Ni as a diffusing species into Si. The Ni diffusion brings about the formation of an amorphous alloy with a composition around the deepest eutectic point (46at.%Si:964℃), from which a Ni2Si phase nucleates. Then, we try to form the second deepest eutectic composition (56.2at.%Si:966℃) artificially in the interfacial layer with a Ni concentration gradient in a Ni/Si system specimen by depositing a Ni layer at 350°C. Then, the annealing of the specimen at 400°C successfully forms multi-phases of NiSi and NiSi2 located between the NiSi layer and Si. This suggests that the phase transition from NiSi to NiSi2 occurs not only by the nucleation limited process but also by some kinetic constraint. |
キーワード |
(和) |
Niシリサイド / NiSi / NiSi2 / 相転移 / / / / |
(英) |
Ni silicide / NiSi / NiSi2 / phase transition / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 265, CPM2012-102, pp. 49-53, 2012年10月. |
資料番号 |
CPM2012-102 |
発行日 |
2012-10-19 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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