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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-10-26 17:30 Ni/Si系におけるモノシリサイドとジシリサイドのマルチフェーズ形成 ○野矢 厚・武山眞弓・佐藤 勝・徳田 奨（北見工大）  CPM2012-102 |
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| 抄録 | （和） | あらまし Ni/Si固相反応系におけるシリサイド形成を調べた。通常この系では反応温度の増加に伴ってNi2Si→NiSi→NiSi2の順に相形成がなされるが、これはNiが拡散種であり、拡散に伴うアモルファス合金組成がNi-Si系２元相図に存在する１番深い共晶点（46at.%Si：964℃）に近い組成となったところからNi2Siが初期形成されることによる。そこで、よりSi-richな2番目の共晶点（56.2at.%Si：966℃）を意図的に作ることを目的に、基板温度を350℃としてNiを堆積することにより、Niの組成勾配を持った拡散層をあらかじめ作り、引き続き400℃で熱処理することによりNiSiのSi基板側にNiSi2が共存する形態でマルチフェーズを実現できた。このことは、NiSi→NiSi2への相転移が、この相の凝縮に律速されているという過程のみでなくkineticsにも依存していることを示すことができた。 |
| （英） | Abstract Silicides nucleation in a Ni/Si system was investigated. In this system, generally, a phase sequence of Ni2Si→NiSi→NiSi2 is found by increasing the reaction temperature. This is due to diffusion of Ni as a diffusing species into Si. The Ni diffusion brings about the formation of an amorphous alloy with a composition around the deepest eutectic point (46at.%Si：964℃), from which a Ni2Si phase nucleates. Then, we try to form the second deepest eutectic composition (56.2at.%Si：966℃) artificially in the interfacial layer with a Ni concentration gradient in a Ni/Si system specimen by depositing a Ni layer at 350°C. Then, the annealing of the specimen at 400°C successfully forms multi-phases of NiSi and NiSi2 located between the NiSi layer and Si. This suggests that the phase transition from NiSi to NiSi2 occurs not only by the nucleation limited process but also by some kinetic constraint. | |
| キーワード | （和） | Niシリサイド / NiSi / NiSi2 / 相転移 / / / / |
| （英） | Ni silicide / NiSi / NiSi2 / phase transition / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 265, CPM2012-102, pp. 49-53, 2012年10月. | |
| 資料番号 | CPM2012-102 | |
| 発行日 | 2012-10-19 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2012-102 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2012-10-26 - 2012-10-27 |
| 開催地（和） | まちなかキャンパス長岡 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2012-10-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Ni/Si系におけるモノシリサイドとジシリサイドのマルチフェーズ形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of multi-phases of monosilicide and disilicide in Ni/Si system |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Niシリサイド / Ni silicide |
| キーワード(2)（和/英） | NiSi / NiSi |
| キーワード(3)（和/英） | NiSi2 / NiSi2 |
| キーワード(4)（和/英） | 相転移 / phase transition |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野矢 厚 / Atsushi Noya / ノヤ アツシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： Kitami Inst. Technol.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武山 眞弓 / Mayumi Takeyama / タケヤマ マユミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： Kitami Inst. Technol.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 勝 / Masaru Sato / サトウ マサル |
| 第3著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： Kitami Inst. Technol.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 徳田 奨 / Susumu Tokuda / トクダ ススム |
| 第4著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： Kitami Inst. Technol.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-10-26 17:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2012-102 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.265 |
| ページ範囲 | pp.49-53 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-10-19 (CPM) |
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