講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-10-26 17:05
MOVPE法により作製したSi基板上GaPの界面形状 高木達也・宮原 亮・○高野 泰(静岡大) CPM2012-101 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2012-101 |
抄録 |
(和) |
有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。Si基板に2,4°オフ基板を使用した。成長温度を830℃とし、Ga原料(トリメチルガリウム)とPH3(フォスフィン)を供給してGaPを成長させた。成長層を原子間力顕微鏡と透過電子顕微鏡で観察した。GaPを20nm程度堆積し、原子間力顕微鏡で観察すると、20nm以上の凹部が観察される事があった。断面TEM観察した結果、Si表面が窪んでいる事が明らかになった。いくつかの成長条件で作製したGaP/Si界面を調べた。その結果、適切な成長速度でGaPを成長させる事が必要である事が分かった。 |
(英) |
GaP layers were grown on Si substrates 2° or 4°-misoriented toward (011) using metalorganic vapor phase epitaxy. The substrates were heated in a H2 flow before GaP nucleation. Growth was initiated by supplying Triethylgallium and PH3. The structures were characterized using atomic force microscopy (AFM) and transmission electron microscopy (TEM). Pits were found in several 20-nm thick GaP layers on Si substrates. The depth of a pit was over the thickness of the GaP layer. TEM observation confirmed that the pits penetrated the Si substrate. The pits depended on growth rate, reactor pressure, and PH3 flow rate. |
キーワード |
(和) |
MOVPE / GaP / シリコン基板上 / ピット / アンチフェーズドメイン / 原子間力顕微鏡 / 透過電子顕微鏡 / |
(英) |
MOVPE / GaP / Si substrate / pit / antiphase domain / atomic force microscopy / transmission electron microscopy / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 265, CPM2012-101, pp. 45-48, 2012年10月. |
資料番号 |
CPM2012-101 |
発行日 |
2012-10-19 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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