講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-10-27 09:35
熱処理法によるSrAl2O4: Eu, Dy薄膜用下地膜の検討 ○小林和晃・清水英彦・岩野春男・福嶋康夫・川上貴浩(新潟大) CPM2012-105 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2012-105 |
抄録 |
(和) |
本研究では,マグネトロンスパッタ法により,室温にて酸化Al下地膜を堆積させた後,対向ターゲット式スパッタ法により室温にてSrAl2O4: Eu, Dy薄膜を堆積させ,その後,約50PaのAr+5%H2の還元雰囲気中にて1000℃,1時間の熱処理を行う方法により,酸化Al下地膜の作製条件の違いによる薄膜の特性の検討を行った。その結果,酸化Al下地膜堆積時の酸素分圧や膜厚を調整することで,結晶性やPL特性を劣化させること無く,膜と基板の剥離や亀裂が抑制に有効であることが分かった。 |
(英) |
In order to examine characteristics of the thin films, SrAl2O4: Eu, Dy thin films were attempted by post-annealing in Ar+5%H2 about 50 Pa of the films deposited using the facing target sputtering (FTS) method in room temperature on the oxidized Al underlayer deposited by the magnetron sputtering (MS) method in room temperature. As a result, adjustment of thickness with oxided Al underlayer and oxygen partial pressure, when oxidized Al underlayer was deposited, was effective improvement of crystallinity and photoluminescence, and suppression of detachment and crack. |
キーワード |
(和) |
SrAl2O4: Eu, Dy薄膜 / 酸化Al下地膜 / 長残光性蛍光体 / スパッタ法 / / / / |
(英) |
SrAl2O4: Eu, Dy thin films / oxidized Al underlayer / long-lasting phosphorescence / sputtering methods / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 265, CPM2012-105, pp. 65-69, 2012年10月. |
資料番号 |
CPM2012-105 |
発行日 |
2012-10-19 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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