| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-10-27 09:35 熱処理法によるSrAl2O4: Eu, Dy薄膜用下地膜の検討 ○小林和晃・清水英彦・岩野春男・福嶋康夫・川上貴浩（新潟大）  CPM2012-105 |
|
| 抄録 | （和） | 本研究では，マグネトロンスパッタ法により，室温にて酸化Al下地膜を堆積させた後，対向ターゲット式スパッタ法により室温にてSrAl2O4: Eu, Dy薄膜を堆積させ，その後，約50PaのAr+5%H2の還元雰囲気中にて1000℃，1時間の熱処理を行う方法により，酸化Al下地膜の作製条件の違いによる薄膜の特性の検討を行った。その結果，酸化Al下地膜堆積時の酸素分圧や膜厚を調整することで，結晶性やPL特性を劣化させること無く，膜と基板の剥離や亀裂が抑制に有効であることが分かった。 |
| （英） | In order to examine characteristics of the thin films, SrAl2O4: Eu, Dy thin films were attempted by post-annealing in Ar+5%H2 about 50 Pa of the films deposited using the facing target sputtering (FTS) method in room temperature on the oxidized Al underlayer deposited by the magnetron sputtering (MS) method in room temperature. As a result, adjustment of thickness with oxided Al underlayer and oxygen partial pressure, when oxidized Al underlayer was deposited, was effective improvement of crystallinity and photoluminescence, and suppression of detachment and crack. | |
| キーワード | （和） | SrAl2O4: Eu, Dy薄膜 / 酸化Al下地膜 / 長残光性蛍光体 / スパッタ法 / / / / |
| （英） | SrAl2O4: Eu, Dy thin films / oxidized Al underlayer / long-lasting phosphorescence / sputtering methods / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 265, CPM2012-105, pp. 65-69, 2012年10月. | |
| 資料番号 | CPM2012-105 | |
| 発行日 | 2012-10-19 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2012-105 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2012-10-26 - 2012-10-27 |
| 開催地（和） | まちなかキャンパス長岡 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2012-10-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 熱処理法によるSrAl2O4: Eu, Dy薄膜用下地膜の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Examination of underlayer for SrAl2O4: Eu, Dy thin films by annealing methods |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SrAl2O4: Eu, Dy薄膜 / SrAl2O4: Eu, Dy thin films |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化Al下地膜 / oxidized Al underlayer |
| キーワード(3)（和/英） | 長残光性蛍光体 / long-lasting phosphorescence |
| キーワード(4)（和/英） | スパッタ法 / sputtering methods |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 和晃 / Kazuaki Kobayashi / コバヤシ カズアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清水 英彦 / Hidehiko Shimizu / シミズ ヒデヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩野 春男 / Haruo Iwano / イワノ ハルオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福嶋 康夫 / Yasuo Fukushima / フクシマ ヤスオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川上 貴浩 / Takahiro Kawakami / カワカミ タカヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-10-27 09:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2012-105 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.265 |
| ページ範囲 | pp.65-69 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-10-19 (CPM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]