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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-10-27 12:15 ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性 ○姉崎 豊・佐藤 魁・加藤孝弘・加藤有行・豊田英之（長岡技科大）・末光真希（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・成田 克（山形大）・安井寛治（長岡技科大）  CPM2012-111 |
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| 抄録 | （和） | パルス制御核発生法を用いたガスソースMBE法によりSi(001) -2˚off基板上にGeナノドットを形成し，その上からワイドギャップのSiCキャップ層を堆積し，SiC/Geドット/SiCx構造を作製した．その後水素ラジカルを照射することで界面に存在する未結合手を終端し，発光効率が向上しないか試みた．しかしフォトルミネッセンスの測定をした結果，水素がより多く取り込まれると考えられる低温照射されたサンプルにおいて発光強度が弱くなった． |
| （英） | Ge nanodots were formed on Si(001)-2˚off substrates after the formation of Si c(4×4) structure by gas-source molecular beam epitaxy using monomethylgermane as a source gas. SiC capping layer was deposited on the Ge dots formed by various growth conditions and SiC/Ge dots/SiCx stacked structure was fabricated. After the fabrication of SiC/Ge dots/SiCx stacked structure, hydrogen radicals generated by a tungsten hot-wire were irradiated for the termination of dangling bonds in the Ge-dots/ SiC interface, aiming at the improvement of the optical emission efficiency. By the measurement of photoluminescence properties, however, optical emission from the SiC/Ge dots/SiCx stacked structure irradiated at low temperature was worse. | |
| キーワード | （和） | ガスソースMBE / Ge ナノドット / SiC / フォトルミネッセンス / 水素ラジカル / / / |
| （英） | gas-source MBE / Ge nanodot / SiC / photoluminescence / hydrogen radical / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 265, CPM2012-111, pp. 97-100, 2012年10月. | |
| 資料番号 | CPM2012-111 | |
| 発行日 | 2012-10-19 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2012-111 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2012-10-26 - 2012-10-27 |
| 開催地（和） | まちなかキャンパス長岡 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2012-10-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photoluminescence characteristics of high-density Ge nanodots on Si substrate by gas source MBE |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ガスソースMBE / gas-source MBE |
| キーワード(2)（和/英） | Ge ナノドット / Ge nanodot |
| キーワード(3)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(4)（和/英） | フォトルミネッセンス / photoluminescence |
| キーワード(5)（和/英） | 水素ラジカル / hydrogen radical |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 姉崎 豊 / Yutaka Anezaki / アネザキ ユタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. Techno.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 魁 / Kai Sato / サトウ カイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. Techno.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 孝弘 / Takahiro Kato / カトウ タカヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. Techno.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 有行 / Ariyuki Kato / カトウ アリユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. Techno.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 豊田 英之 / Hideyuki Toyota / トヨタ ヒデユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. Techno.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 末光 真希 / Maki Suemitsu / スエミツ マキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa / ナカザワ ヒデキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 成田 克 / Yuzuru Narita / ナリタ ユズル |
| 第8著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安井 寛治 / Kanji Yasui / ヤスイ カンジ |
| 第9著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. Techno.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-10-27 12:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2012-111 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.265 |
| ページ範囲 | pp.97-100 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-10-19 (CPM) |
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