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講演抄録/キーワード
講演名 2012-11-15 13:00
[招待講演]SiCパワーデバイス・モジュールの高性能化 ~ 低抵抗,高耐熱によるシステムの小型化 ~
中村 孝明田正俊中野佑紀大塚拓一花田俊雄ロームSDM2012-100
抄録 (和) 超低抵抗SiCトレンチMOSFETを高耐圧モジュールに応用し,超小型・高効率モジュールを実現. 
(英) Ultra-small power modules with high temperature operation are realized by using low-Ron SiC trench MOSFET.
キーワード (和) SiCパワーデバイス / トレンチMOSFET / 高耐熱モジュール / / / / /  
(英) SiC Power Device / Trench MOSFET / Power Module / High Temperature Operation / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 290, SDM2012-100, pp. 9-10, 2012年11月.
資料番号 SDM2012-100 
発行日 2012-11-08 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2012-100

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2012-11-15 - 2012-11-16 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2012-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SiCパワーデバイス・モジュールの高性能化 
サブタイトル(和) 低抵抗,高耐熱によるシステムの小型化 
タイトル(英) High Performance SiC Power Devices and Modules 
サブタイトル(英) Miniaturization of System by Low-Ron and High Temperature Operation 
キーワード(1)(和/英) SiCパワーデバイス / SiC Power Device  
キーワード(2)(和/英) トレンチMOSFET / Trench MOSFET  
キーワード(3)(和/英) 高耐熱モジュール / Power Module  
キーワード(4)(和/英) / High Temperature Operation  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 孝 / Takashi Nakamura / ナカムラ タカシ
第1著者 所属(和/英) ローム株式会社 (略称: ローム)
ROHM Co., Ltd. (略称: ROHM)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 明田 正俊 / Masatoshi Aketa / アケタ マサトシ
第2著者 所属(和/英) ローム株式会社 (略称: ローム)
ROHM Co., Ltd. (略称: ROHM)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 中野 佑紀 / Yuki Nakano / ナカノ ユウキ
第3著者 所属(和/英) ローム株式会社 (略称: ローム)
ROHM Co., Ltd. (略称: ROHM)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 大塚 拓一 / Takukazu Otsuka / オオツカ タクカズ
第4著者 所属(和/英) ローム株式会社 (略称: ローム)
ROHM Co., Ltd. (略称: ROHM)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 花田 俊雄 / Toshio Hanada / ハナダ トシオ
第5著者 所属(和/英) ローム株式会社 (略称: ローム)
ROHM Co., Ltd. (略称: ROHM)
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講演者 第1著者 
発表日時 2012-11-15 13:00:00 
発表時間 50分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2012-100 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.290 
ページ範囲 pp.9-10 
ページ数
発行日 2012-11-08 (SDM) 


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