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講演抄録/キーワード
講演名 2012-11-16 13:25
現実的分散モデルを用いたSi薄膜中のフォノン輸送モンテカルロシミュレーション
久木田健太郎阪大)・鎌倉良成阪大/JSTSDM2012-109
抄録 (和) デバイスの微細化に伴い自己発熱効果の影響が顕著になり,集積回路の性能や信頼性を低下させることが懸念されている.そこで本研究では極微細領域での熱伝導機構を正しく理解することを目的に,フォノンのボルツマン輸送方程式を直接解くモンテカルロシミュレーションを開発し,熱伝導性が大きく低下するシリコン薄膜中の熱輸
送を解析した.現実的フルバンド分散関係を考慮し,また適切なフォノン-界面散乱モデルをシミュレータに適用して,極薄膜シリコンの熱伝導率の計算を行った結果,実験値との良好な一致を得ることが出来た. 
(英) Growing heat dissipation has become one of the main issues in today's IC chips limiting the reliability and performance. In this study, we analyze the thermal conduction in ultrathin Si lms using a Monte Carlo method developed for solving the phonon Boltzmann transport equation. By taking account of the realistic phonon dispersion relation and appropriate boundary scattering mechanism, good agreement with the experimental data has been obtained.
キーワード (和) フォノン / モンテカルロシミュレーション / 薄膜 / 熱伝導率 / / / /  
(英) phonon / Monte Carlo simulation / thin film / thermal conductivity / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 290, SDM2012-109, pp. 53-58, 2012年11月.
資料番号 SDM2012-109 
発行日 2012-11-08 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード SDM2012-109

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2012-11-15 - 2012-11-16 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2012-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 現実的分散モデルを用いたSi薄膜中のフォノン輸送モンテカルロシミュレーション 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Monte Carlo Simulation of Phonon Transport in Silicon Thin Films Including Realistic Dispersion Relation 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) フォノン / phonon  
キーワード(2)(和/英) モンテカルロシミュレーション / Monte Carlo simulation  
キーワード(3)(和/英) 薄膜 / thin film  
キーワード(4)(和/英) 熱伝導率 / thermal conductivity  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 久木田 健太郎 / Kentaro Kukita / クキタ ケンタロウ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka University)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 鎌倉 良成 / Yoshinari Kamakura / カマクラ ヨシナリ
第2著者 所属(和/英) 大阪大学/JST CREST (略称: 阪大/JST)
Osaka University/JST CREST (略称: Osaka University/JST CREST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2012-11-16 13:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2012-109 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.290 
ページ範囲 pp.53-58 
ページ数
発行日 2012-11-08 (SDM) 


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