| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2012-11-16 13:25
現実的分散モデルを用いたSi薄膜中のフォノン輸送モンテカルロシミュレーション ○久木田健太郎(阪大)・鎌倉良成(阪大/JST) SDM2012-109 |
| 抄録 |
(和) |
デバイスの微細化に伴い自己発熱効果の影響が顕著になり,集積回路の性能や信頼性を低下させることが懸念されている.そこで本研究では極微細領域での熱伝導機構を正しく理解することを目的に,フォノンのボルツマン輸送方程式を直接解くモンテカルロシミュレーションを開発し,熱伝導性が大きく低下するシリコン薄膜中の熱輸
送を解析した.現実的フルバンド分散関係を考慮し,また適切なフォノン-界面散乱モデルをシミュレータに適用して,極薄膜シリコンの熱伝導率の計算を行った結果,実験値との良好な一致を得ることが出来た. |
| (英) |
Growing heat dissipation has become one of the main issues in today's IC chips limiting the reliability and performance. In this study, we analyze the thermal conduction in ultrathin Si lms using a Monte Carlo method developed for solving the phonon Boltzmann transport equation. By taking account of the realistic phonon dispersion relation and appropriate boundary scattering mechanism, good agreement with the experimental data has been obtained. |
| キーワード |
(和) |
フォノン / モンテカルロシミュレーション / 薄膜 / 熱伝導率 / / / / |
| (英) |
phonon / Monte Carlo simulation / thin film / thermal conductivity / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 290, SDM2012-109, pp. 53-58, 2012年11月. |
| 資料番号 |
SDM2012-109 |
| 発行日 |
2012-11-08 (SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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