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講演抄録/キーワード
講演名 2012-11-16 10:25
低エネルギーLSI応用に向けたXCT-SOI-CMOSの微細化指針に関する検討
佐藤大貴大村泰久関西大SDM2012-105 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-105
抄録 (和) Cross-Current Tetrode (XCT) SOI CMOSの応用開拓のために、XCT-SOI-CMOSの低エネルギー動作特性の特徴を紹介し、合わせて微細化指針に関する検討を提案する。XCT-SOI CMOSと従来のSOI CMOSの特性を比較し、XCT-SOI-CMOSが低エネルギー化に適した素子であることを示す。待機時消費電力の抑制を進めるため、3次元デバイスシミュレータを用いて、ソース/ドレインの不純物濃度分布の影響を計算で評価した結果を報告し、極限微細化に向けた性能見通しを示す。 
(英) This paper introduces an advanced performance of cross-current tetrode (XCT) SOI CMOS devices and demonstrates their outstanding low-energy characteristics. A simple analysis suggests that the low-energy operation of XCT-SOI-CMOS devices stems from the dynamic potential floating effect yielded by the source diffusion of the original SOI MOSFET. In addition, the performance of XCT-SOI MOSFET is improved by change of source and drain doping profile (donors) for short channel length devices.
キーワード (和) SOI MOSFET / 寄生JFET / 負性微分コンダクタンス / 短チャネル効果 / 低エネルギー / / /  
(英) SOI MOSFET / parasitic JFET / negative differential conductance / short-channel effects / low energy / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 290, SDM2012-105, pp. 31-36, 2012年11月.
資料番号 SDM2012-105 
発行日 2012-11-08 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2012-105 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-105

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2012-11-15 - 2012-11-16 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2012-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 低エネルギーLSI応用に向けたXCT-SOI-CMOSの微細化指針に関する検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Prospect of Low-Energy Operation of Scaled Cross-Current Tetrode (XCT) SOI CMOS 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SOI MOSFET / SOI MOSFET  
キーワード(2)(和/英) 寄生JFET / parasitic JFET  
キーワード(3)(和/英) 負性微分コンダクタンス / negative differential conductance  
キーワード(4)(和/英) 短チャネル効果 / short-channel effects  
キーワード(5)(和/英) 低エネルギー / low energy  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 大貴 / Daiki Sato / サトウ ダイキ
第1著者 所属(和/英) 関西大学大学院 (略称: 関西大)
Kansai University (略称: Kansai Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大村 泰久 / Yasuhisa Omura /
第2著者 所属(和/英) 関西大学大学院 (略称: 関西大)
Kansai University (略称: Kansai Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2012-11-16 10:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2012-105 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.290 
ページ範囲 pp.31-36 
ページ数
発行日 2012-11-08 (SDM) 


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