講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-11-16 10:25
低エネルギーLSI応用に向けたXCT-SOI-CMOSの微細化指針に関する検討 ○佐藤大貴・大村泰久(関西大) SDM2012-105 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-105 |
抄録 |
(和) |
Cross-Current Tetrode (XCT) SOI CMOSの応用開拓のために、XCT-SOI-CMOSの低エネルギー動作特性の特徴を紹介し、合わせて微細化指針に関する検討を提案する。XCT-SOI CMOSと従来のSOI CMOSの特性を比較し、XCT-SOI-CMOSが低エネルギー化に適した素子であることを示す。待機時消費電力の抑制を進めるため、3次元デバイスシミュレータを用いて、ソース/ドレインの不純物濃度分布の影響を計算で評価した結果を報告し、極限微細化に向けた性能見通しを示す。 |
(英) |
This paper introduces an advanced performance of cross-current tetrode (XCT) SOI CMOS devices and demonstrates their outstanding low-energy characteristics. A simple analysis suggests that the low-energy operation of XCT-SOI-CMOS devices stems from the dynamic potential floating effect yielded by the source diffusion of the original SOI MOSFET. In addition, the performance of XCT-SOI MOSFET is improved by change of source and drain doping profile (donors) for short channel length devices. |
キーワード |
(和) |
SOI MOSFET / 寄生JFET / 負性微分コンダクタンス / 短チャネル効果 / 低エネルギー / / / |
(英) |
SOI MOSFET / parasitic JFET / negative differential conductance / short-channel effects / low energy / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 290, SDM2012-105, pp. 31-36, 2012年11月. |
資料番号 |
SDM2012-105 |
発行日 |
2012-11-08 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2012-105 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-105 |