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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-11-16 14:15 Tunnel FETの非局所モデリング ～ デバイスモデルと回路モデル ～ ○福田浩一・森 貴洋・水林 亘・森田行則・田邊顕人・昌原明植・安田哲二・右田真司・太田裕之（産総研）  SDM2012-111 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-111 |
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| 抄録 | （和） | 非局所バンド間トンネルモデルに基づき、トンネルFETのデバイス及び回路モデルの基礎を開発した。デバイスでモデルでは非局所モデルの実現方法による差異を検討した。回路モデルでは非局所なトンネル距離の見積りを、簡単な仮定の導入によって実現した。それぞれ実測と同等の電気特性を確認し、物理モデルに基づくトンネルFETのデバイス及び回路を検討する基礎を築いた。 |
| （英） | Device and compact models for tunnel-FETs are developed based on nonlocal band to band tunneling model. For device modeling, some implementation variations are discussed. For compact modeling, nonlocal effects are considered by introducing simple assumptions. Both models are consistent with experimental results, and provide basics of physics-based device and compact design tools for tunnel-FETs. | |
| キーワード | （和） | トンネルFET / バンド間トンネル / デバイスシミュレーション / コンパクトモデル / / / / |
| （英） | tunnel-FET / band to band tunneling / device simulation / compact model / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 290, SDM2012-111, pp. 63-68, 2012年11月. | |
| 資料番号 | SDM2012-111 | |
| 発行日 | 2012-11-08 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-111 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-111 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-11-15 - 2012-11-16 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Tunnel FETの非局所モデリング |
| サブタイトル（和） | デバイスモデルと回路モデル |
| タイトル（英） | Nonlocal band to band tunneling model for tunnel-FETs |
| サブタイトル（英） | Device and circuit models |
| キーワード(1)（和/英） | トンネルFET / tunnel-FET |
| キーワード(2)（和/英） | バンド間トンネル / band to band tunneling |
| キーワード(3)（和/英） | デバイスシミュレーション / device simulation |
| キーワード(4)（和/英） | コンパクトモデル / compact model |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 浩一 / Koichi Fukuda / フクダ コウイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advance Industrian Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 貴洋 / Takahiro Mori / モリ タカヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advance Industrian Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水林 亘 / Wataru Mizubayashi / ミズバヤシ ワタル |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advance Industrian Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森田 行則 / Yukinori Morita / モリタ ユキノリ |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advance Industrian Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田邊 顕人 / Akihito Tanabe / タナベ アキヒト |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advance Industrian Science and Technology (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 昌原 明植 / Meishoku Masahara / マサハラ メイショク |
| 第6著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advance Industrian Science and Technology (略称： AIST) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安田 哲二 / Tetsuji Yasuda / ヤスダ テツジ |
| 第7著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advance Industrian Science and Technology (略称： AIST) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 右田 真司 / Shinji Migita / ミギタ シンジ |
| 第8著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advance Industrian Science and Technology (略称： AIST) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 太田 裕之 / Hiroyuki Ota / オオタ ヒロユキ |
| 第9著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advance Industrian Science and Technology (略称： AIST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-11-16 14:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-111 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.290 |
| ページ範囲 | pp.63-68 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-11-08 (SDM) |
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