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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-11-29 13:55 単結晶β-Ga2O3基板を用いたPt/β-Ga2O3ショットキーバリアダイオード ○佐々木公平（タムラ製作所/NICT）・東脇正高（NICT/JST）・倉又朗人（タムラ製作所）・増井建和（光波）・山腰茂伸（タムラ製作所）  ED2012-71 CPM2012-128 LQE2012-99 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-71 CPM2012-128 LQE2012-99 |
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| 抄録 | （和） | 単結晶$Ga_2O_3$(010)基板を用いてショットキーバリアダイオードを作製した．フローティングゾーンで作製した単結晶$Ga_2O_3$基板は高い結晶性を有しており，X線ロッキングカーブの半値幅は32秒，エッチピット密度は$1\times10^4 cm^{-2}$であった．作製したデバイスはショットキー特性の理想係数がほぼ理想値1.0を示し，電界集中緩和構造を用いていないシンプルなデバイス構造で150 V程度の耐圧が得られた．ショットキーバリアハイトを評価した結果，Pt/$\beta-Ga_2O_3$界面のバリアハイトは1.3-1.5 eVであることがわかった． |
| （英） | We fabricated gallium oxide ($Ga_2O_3$) Schottky barrier diodes using $\beta-Ga_2O_3$ (010) single crystal substrates produced by the floating zone. The crystal quality of the substrates was excellent; the X-ray diffraction rocking curve peak had a full width at half maximum of 32 arcsec, and the etch pit density was less than $1\times10^4 cm^{-2}$. The devices exhibited good characteristics, such as an ideality factor close to the unity and a reasonably high reverse breakdown voltage of about 150 V. The Schottky barrier height of the Pt/$\beta-Ga_2O_3$ interface was estimated to be 1.3-1.5 eV. | |
| キーワード | （和） | Ga2O3 / 酸化ガリウム / ショットキーバリアダイオード / ショットキーバリアハイト / / / / |
| （英） | Ga2O3 / Gallium Oxide / Schottky Barrier Diode / Shottky Barrier Height / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 327, ED2012-71, pp. 25-28, 2012年11月. | |
| 資料番号 | ED2012-71 | |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-71 CPM2012-128 LQE2012-99 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-71 CPM2012-128 LQE2012-99 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2012-11-29 - 2012-11-30 |
| 開催地（和） | 大阪市立大学 |
| 開催地（英） | Osaka City University |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 単結晶β-Ga2O3基板を用いたPt/β-Ga2O3ショットキーバリアダイオード |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Pt/β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes Using Single-Crystal β-Ga2O3 Substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ga2O3 / Ga2O3 |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化ガリウム / Gallium Oxide |
| キーワード(3)（和/英） | ショットキーバリアダイオード / Schottky Barrier Diode |
| キーワード(4)（和/英） | ショットキーバリアハイト / Shottky Barrier Height |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐々木 公平 / Kohei Sasaki / ササキ コウヘイ |
| 第1著者 所属（和/英） | タムラ製作所/情報通信研究機構 (略称： タムラ製作所/NICT) Tamura Corporation/National Institute of Information and Communications Technology (略称： Tamura Corp./NICT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 東脇 正高 / Masataka Higashiwaki / ヒガシワキ マサタカ |
| 第2著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構/科学技術振興機構さきがけ (略称： NICT/JST) National Institute of Information and Communications Technology/PRESTO, Japan Science and Technology Agency (略称： NICT/JST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 倉又 朗人 / Akito Kuramata / クラマタ アキト |
| 第3著者 所属（和/英） | タムラ製作所 (略称： タムラ製作所) Tamura Corporation (略称： Tamura Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 増井 建和 / Takekazu Masui / マスイ タケカズ |
| 第4著者 所属（和/英） | 光波 (略称： 光波) Koha Co., Ltd. (略称： Koha Co.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山腰 茂伸 / Shigenobu Yamakoshi / ヤマコシ シゲノブ |
| 第5著者 所属（和/英） | タムラ製作所 (略称： タムラ製作所) Tamura Corporation (略称： Tamura Corp.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-11-29 13:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2012-71, CPM2012-128, LQE2012-99 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.327(ED), no.328(CPM), no.329(LQE) |
| ページ範囲 | pp.25-28 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) |
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