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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-11-29 15:25 プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響 ○堀 祐臣・谷田部然治・馬 万程・橋詰 保（北大）  ED2012-74 CPM2012-131 LQE2012-102 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-74 CPM2012-131 LQE2012-102 |
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| 抄録 | （和） | 原子層堆積法で形成したAl2O3膜をゲート絶縁膜としてAl2O3/AlGaN/GaNヘテロMOS構造を作製し、形成プロセス条件がAl2O3/AlGaN界面準位に与える影響についての評価を行った。オーミック熱処理時にSiN膜による表面保護を行うことで、熱処理によるAlGaN表面のN空孔関連の化学結合状態の乱れを抑制し、Al2O3/AlGaN界面準位の低減が可能であった。Al2O3膜堆積前にN2Oラジカル表面処理を行うことで界面準位の制御が可能であることを、光支援C–V測定法によって確認した。N2Oラジカル処理を行ったAl2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMTは順バイアス領域における伝達特性の改善を示し、界面準位の低減による効果であると思われる。 |
| （英） | We have characterized effects of process conditions on Al2O3/AlGaN/GaN hetero-MOS structures prepared by atomic layer deposition. A SiN surface protection layer suppressed nitrogen-vacancy-related chemical disorder at the AlGaN surface even during high-temperature annealing, resulting in reduction of the Al2O3/AlGaN interface states. Photo-assisted C–V characteristics of the Al2O3/AlGaN/GaN structures indicated that an N2O-radical treatment was also effective in reducing the Al2O3/AlGaN interface states. The N2O-radical treated MOS-HEMT showed the improvement of transfer characteristics in the positive bias range, probably due to reduction of the Al2O3/AlGaN interface states. | |
| キーワード | （和） | AlGaN/GaN / Al2O3 / MOS / HEMT / 界面準位 / / / |
| （英） | AlGaN/GaN / Al2O3 / MOS / HEMT / Interface state / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 327, ED2012-74, pp. 37-40, 2012年11月. | |
| 資料番号 | ED2012-74 | |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-74 CPM2012-131 LQE2012-102 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-74 CPM2012-131 LQE2012-102 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2012-11-29 - 2012-11-30 |
| 開催地（和） | 大阪市立大学 |
| 開催地（英） | Osaka City University |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of process conditions on AlGaN/GaN hetero-MOS structures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(2)（和/英） | Al2O3 / Al2O3 |
| キーワード(3)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(4)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(5)（和/英） | 界面準位 / Interface state |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀 祐臣 / Yujin Hori / ホリ ユウジン |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷田部 然治 / Zenji Yatabe / ヤタベ ゼンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 馬 万程 / Wan-Cheng Ma / |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume / ハシヅメ タモツ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-11-29 15:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2012-74, CPM2012-131, LQE2012-102 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.327(ED), no.328(CPM), no.329(LQE) |
| ページ範囲 | pp.37-40 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) |
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