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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-11-30 16:00 Inフラッシュ法を用いた1ミクロン帯広帯域発光InAs量子ドットの作製と医療イメージングへの応用検討 ○日野雄司・尾崎信彦（和歌山大）・大河内俊介（NEC）・池田直樹・杉本喜正（物質・材料研究機構）  ED2012-89 CPM2012-146 LQE2012-117 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-89 CPM2012-146 LQE2012-117 |
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| 抄録 | （和） | 近年、新たな医療イメージング技術として光干渉断層計(OCT)が注目されている。OCTは今後、より汎用的な医療イメージング装置として発展するために、さらなる高分解能化や高到達深度が求められている。OCTの高分解能化には広帯域な光源が必要となる。また、高到達深度を得るには、光源の発光中心波長を水やヘモグロビンによる吸収・散乱が少ない1.05umすることが望ましい。本研究は、発光材料に自己組織化InAs量子ドット(QD)を用いることで、上記のような光源作製を目指している。今回、成長時にIn-flush法を用いて1um帯への発光波長制御を行った。結果、InAs-QDの発光波長を1.22umから約270nm短波長化させることができ、1.05umを中心に約220nmの帯域を確保できる可能性が示された。 |
| （英） | We have grown self-assembled InAs quantum dots (QDs) on a GaAs substrate emitting at around 1.05um in wavelength using the In-flush technique. This technique enables the realization of a broadband 1.05-um light source with a bandwidth of beyond 200 nm via a combination of fabricated In-flushed QDs. Such a broadband light source is applicable to optical coherence tomography (OCT), thereby enabling high-resolution and large penetration depth in the OCT images. In addition, we found that a higher emission intensity of the In-flushed QDs can be obtained by reducing the annealing temperature of the In-flush process. | |
| キーワード | （和） | InAs量子ドット / In-flush / OCT / / / / / |
| （英） | InAs quantum dot / In-flush / OCT / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 329, LQE2012-117, pp. 113-116, 2012年11月. | |
| 資料番号 | LQE2012-117 | |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-89 CPM2012-146 LQE2012-117 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-89 CPM2012-146 LQE2012-117 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2012-11-29 - 2012-11-30 |
| 開催地（和） | 大阪市立大学 |
| 開催地（英） | Osaka City University |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2012-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Inフラッシュ法を用いた1ミクロン帯広帯域発光InAs量子ドットの作製と医療イメージングへの応用検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of InAs-QDs emitting at 1um with a broadband spectrum via In-flush method for biomedical imaging |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InAs量子ドット / InAs quantum dot |
| キーワード(2)（和/英） | In-flush / In-flush |
| キーワード(3)（和/英） | OCT / OCT |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 日野 雄司 / Yuji Hino / ヒノ ユウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 和歌山大学 (略称： 和歌山大) Wakayama University (略称： Wakayama Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾崎 信彦 / Nobuhiko Ozaki / オザキ ノブヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 和歌山大学 (略称： 和歌山大) Wakayama University (略称： Wakayama Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大河内 俊介 / Shunsuke Ohkouchi / オオコウチ シュンスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 直樹 / Naoki Ikeda / イケダ ナオキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉本 喜正 / Yoshimasa Sugimoto / スギモト ヨシマサ |
| 第5著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-11-30 16:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2012-89, CPM2012-146, LQE2012-117 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.327(ED), no.328(CPM), no.329(LQE) |
| ページ範囲 | pp.113-116 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) |
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