講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-11-30 10:20
ドループ改善に向けた窒化物半導体np構造LEDの作製 ○森田隆敏・加賀 充・桑野侑香・松井健城・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕(名城大)・赤サキ 勇(名城大/名大) ED2012-79 CPM2012-136 LQE2012-107 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-79 CPM2012-136 LQE2012-107 |
抄録 |
(和) |
窒化物半導体LEDでは、高電流注入時の発光効率低下、いわゆるドループ現象が課題となっている。我々は、このドループ現象を改善するために、従来のpn構造を逆に積層したnp構造LEDの実現を目指している。本報告では、このnp構造ではキャリアオーバーフローが抑制される様子を理論計算により示した。続いて、トンネル接合を利用したnp構造を試作した。その結果、全面発光するLEDが実現できた。一方で、従来のpn構造に比べ、駆動電圧増加および光出力低下が確認された。これは、トンネル接合での不十分なMg濃度と、活性層での不必要なMg混入が原因であり、さらなる改善によりドループ現象の抑制が期待される。 |
(英) |
A decrease of external quantum efficiency with an increase of injection current in nitride semiconductor LEDs, a so-called efficiency droop, has been an issue. We have been developing an np-junction LED consisting of a reversed layer structure of a conventional pn-junction LED in order to reduce the droop. In this report, our theoretical calculation indicated that carrier overflow was suppressed in the np-junction LEDs. In addition, the np-junction LED was designed and fabricated with a tunnel junction. We then achieved uniform emission from the np-junction LED. At the same time, an increase of driving voltage and a decrease of light output power were observed compared to those of the conventional pn-junction LED. An insufficient Mg concentration at the tunnel junction and an unintentional Mg incorporation at the active region are the reasons for poor device performances. A suppression of the droop will be expected by further improvement of the np-junction LEDs. |
キーワード |
(和) |
np接合LED / ドループ現象 / トンネル接合 / 内蔵電界 / Mg濃度 / GaN / / |
(英) |
np-junction LED / efficiency droop / tunnel junction / built-in electric field / Mg concentration / GaN / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 329, LQE2012-107, pp. 59-64, 2012年11月. |
資料番号 |
LQE2012-107 |
発行日 |
2012-11-22 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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PDFダウンロード |
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