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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-11-30 14:30 ウルツ鉱構造InGaNのバンド構造とオージェ再結合の解析 ○波多腰玄一・布上真也（東芝）  ED2012-86 CPM2012-143 LQE2012-114 |
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| 抄録 | （和） | ウルツ鉱構造InGaNでは伝導帯側にバンドギャップエネルギーと同じオーダーのエネルギー差を持つバンドがあり，これを介したウルツ鉱構造特有のオージェ過程がデバイス特性に大きく影響する可能性がある．強束縛法によりInGaNのバンド構造を解析し，それを基にオージェ再結合係数を解析した．波長450 nm付近でのオージェ再結合係数は10^{-41} m^6/sと極めて大きく，オージェ再結合がLEDの効率に影響を及ぼす十分な大きさである． |
| （英） | A characteristic feature of the wurtzite semiconductor is the existence of a higher conduction band having the energy difference comparable to the bandgap energy. In such band structure, the Auger coefficient can be significantly large and affect the efficiency droop of the LED. Based on the analysis of band structure, the Auger coefficients in wurtzite InGaN have been calculated. The results indicate that the Auger coefficient for the wurtzite InGaN near the 450 nm wavelength region is sufficiently large to cause the efficiency droop. | |
| キーワード | （和） | ウルツ鉱構造 / バンド構造 / オージェ再結合 / InGaN / LED / 効率ドループ / / |
| （英） | Wurtzite / ，Band structure / Auger recombination / InGaN / LED / Efficiency droop / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 329, LQE2012-114, pp. 97-101, 2012年11月. | |
| 資料番号 | LQE2012-114 | |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-86 CPM2012-143 LQE2012-114 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2012-11-29 - 2012-11-30 |
| 開催地（和） | 大阪市立大学 |
| 開催地（英） | Osaka City University |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2012-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ウルツ鉱構造InGaNのバンド構造とオージェ再結合の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of band structure and Auger recombination process in wurtzite InGaN |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ウルツ鉱構造 / Wurtzite |
| キーワード(2)（和/英） | バンド構造 / ，Band structure |
| キーワード(3)（和/英） | オージェ再結合 / Auger recombination |
| キーワード(4)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(5)（和/英） | LED / LED |
| キーワード(6)（和/英） | 効率ドループ / Efficiency droop |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 波多腰 玄一 / Gen-ichi Hatakoshi / ハタコシ ゲンイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 布上 真也 / Shinya Nunoue / |
| 第2著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-11-30 14:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2012-86, CPM2012-143, LQE2012-114 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.327(ED), no.328(CPM), no.329(LQE) |
| ページ範囲 | pp.97-101 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) |
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