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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-11-30 13:15 n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化 ○桑野侑香・加賀 充・森田隆敏・山下浩司・南川大智・竹内哲也・岩谷素顕・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大）  ED2012-83 CPM2012-140 LQE2012-111 |
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| 抄録 | （和） | p-GaNでは、Mgアクセプタと水素の結合を切断し、電気的に活性化させる熱アニールが必要である。一方、n-GaN内には原子状水素が存在できないことが報告されている。このことから、n-GaN表面層を有する構造内のp-GaNでは、水素の脱離が抑制されてMgの活性化が阻害される可能性がある。本研究では、n-GaN表面層を有する構造内のp-GaNおよびトンネル接合p++-GaInNのMg活性化の検討を行った。アニール工程を含む素子形成工程の最適化を行い、電流注入による電気的特性の評価を行った。その結果、表面にn-GaNが存在すると、表面からのMg活性化が阻害され、p-GaN層が露出した側壁から横方向に活性化が進むことを新たに見出した。 |
| （英） | Thermal annealing step is required to dissociate acceptor-hydrogen complexes and electrically activate the acceptor dopants in Mg-doped GaN. Meanwhile several groups have reported that hydrogen atoms did not exist in n-GaN. Therefore, it is suggested that desorption of hydrogen atoms from p-GaN entirely covered with n-GaN surfaces should be suppressed, resulting in insufficient Mg activation. In this paper, we investigated Mg activation in p-GaN and tunnel junction p-GaInN covered with n-GaN surfaces. We optimized device fabrication process including the thermal annealing step and evaluated current-voltage characteristics. As a result, we found that Mg activation from the surfaces was inhibited due to the n-GaN surfaces and laterally extend from etched sidewalls in the LED structure. | |
| キーワード | （和） | トンネル接合 / 窒化物半導体 / GaN / Mg / 活性化アニール / 水素 / / |
| （英） | Tunnel Junction / nitride semiconductors / GaN / Mg / activation annealing / hydrogen / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 329, LQE2012-111, pp. 81-85, 2012年11月. | |
| 資料番号 | LQE2012-111 | |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-83 CPM2012-140 LQE2012-111 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2012-11-29 - 2012-11-30 |
| 開催地（和） | 大阪市立大学 |
| 開催地（英） | Osaka City University |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2012-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Mg acceptor activation inp-GaN of the structure with n-GaN surface |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | トンネル接合 / Tunnel Junction |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化物半導体 / nitride semiconductors |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | Mg / Mg |
| キーワード(5)（和/英） | 活性化アニール / activation annealing |
| キーワード(6)（和/英） | 水素 / hydrogen |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 桑野 侑香 / Yuka Kuwano / クワノ ユカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加賀 充 / Mitsuru Kaga / カガ ミツル |
| 第2著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森田 隆敏 / Takatoshi Morita / モリタ タカトシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 浩司 / Kouji Yamashita / ヤマシタ コウジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 南川 大智 / * * / |
| 第5著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi / タケウチ テツヤ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / イワヤ モトアキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤サキ 勇 / Isamu Akasaki / アカサキ イサム |
| 第9著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大/名大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-11-30 13:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2012-83, CPM2012-140, LQE2012-111 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.327(ED), no.328(CPM), no.329(LQE) |
| ページ範囲 | pp.81-85 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) |
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