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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-11-30 11:25 Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates ○Yoon Seok Kim（Kyout Univ.）・Akio Kaneta・Mitsuru Funato・Yoichi Kawakami（Kyoto Univ.）・Takashi Miyoshi・Shin-ichi Nagahama（Nichia）  ED2012-81 CPM2012-138 LQE2012-109 |
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| 抄録 | （和） | 緑色領域でのレーザの開発がInGaNをベースとした材料系で進められている．とくに，従来用いられている(0001)極性面と新たに開発が進んだ{20-21}半極性面上での開発競争は熾烈を極めている．本研究では，(0001)極性面上に作製した緑色レーザ構造に関して，基礎的な特性として，In組成揺らぎと分極由来の内部電界がレーザ特性に与える影響を調べた．これまで報告されている(0001)面上レーザでは，青緑領域でもIn組成揺らぎが大きく，それが不均一広がりとして最大利得を制限し，発振波長の長波長化を阻害する要因となっていた．現在の緑色レーザでは，結晶成長技術の進展により不均一広がりが抑制されおり，加えて，量子井戸幅を狭くすることにより内部電界の影響を避ける工夫もなされており，それらが緑色レーザの実現に向けて大きな役割を果たしていることが実験的に明らかとなった． |
| （英） | The optical properties of InGaN-based green (512 nm) laser structures fabricated on (0001) GaN substrates are investigated by means of photoluminescence and gain spectroscopies. It is demonstrated that in the state-of-the-art (0001) green InGaN quantum wells, potential fluctuations are drastically suppressed, and the internal loss is as low as ~10 /cm, both of which lead to a low threshold current density of 2.75 kA/cm2.The suppressed inhomogeneity also contributes to high linearity of gain increase with the injection current. The differential gain is relatively low, and is attributed to a low confinement factor in the longer wavelength spectral range. | |
| キーワード | （和） | 緑色レーザダイオード / (0001)面 / 光学特性 / 利得 / ポテンシャル揺らぎ / ピエゾ分極 / / |
| （英） | Green laser diodes / (0001) planes / Optical properties / Gain / Potential fluctuations / Piezoelectric polarization / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 329, LQE2012-109, pp. 71-74, 2012年11月. | |
| 資料番号 | LQE2012-109 | |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-81 CPM2012-138 LQE2012-109 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2012-11-29 - 2012-11-30 |
| 開催地（和） | 大阪市立大学 |
| 開催地（英） | Osaka City University |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2012-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 緑色レーザダイオード / Green laser diodes |
| キーワード(2)（和/英） | (0001)面 / (0001) planes |
| キーワード(3)（和/英） | 光学特性 / Optical properties |
| キーワード(4)（和/英） | 利得 / Gain |
| キーワード(5)（和/英） | ポテンシャル揺らぎ / Potential fluctuations |
| キーワード(6)（和/英） | ピエゾ分極 / Piezoelectric polarization |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金 潤碩 / Yoon Seok Kim / キム ユンソク |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyout Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金田 昭男 / Akio Kaneta / カネタ アキオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 船戸 充 / Mitsuru Funato / フナト ミツル |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川上 養一 / Yoichi Kawakami / カワカミ ヨウイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三好 隆 / Takashi Miyoshi / ミヨシ タカシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日亜化学工業株式会社 (略称： 日亜化学) Nichia corporation (略称： Nichia) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長濱 慎一 / Shin-ichi Nagahama / ナガハマ シンイチ |
| 第6著者 所属（和/英） | 日亜化学工業株式会社 (略称： 日亜化学) Nichia corporation (略称： Nichia) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-11-30 11:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2012-81, CPM2012-138, LQE2012-109 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.327(ED), no.328(CPM), no.329(LQE) |
| ページ範囲 | pp.71-74 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) |
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