講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-11-30 16:50
モノリシック光源に向けたゲルマニウム発光素子の研究 ○谷 和樹・斎藤慎一・小田克矢(光電子融合基盤技研)・奥村忠嗣・峰 利之(日立)・井戸立身(光電子融合基盤技研) ED2012-91 CPM2012-148 LQE2012-119 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-91 CPM2012-148 LQE2012-119 |
抄録 |
(和) |
Si基板上にモノリシックに集積可能な光源の開発を目指して, Ge単結晶成長技術の開発と,Ge発光素子の試作検討を行った.結晶成長技術においては,低温エピタキシャル成長したGe層をポストアニールする事により,結晶性及び発光特性の向上を確認した.また,電極部における自由キャリア吸収による損失を低減するため,素子をSOI (silicon-on-insulator) に形成した横型pnダイオード上に成長したGe導波路に電流を横方向に注入する構造にした.試作した素子は良好な電気特性と電流注入発光特性を示したため,本Ge発光素子はSi基板上のモノリシック集積光源として有望であると考えられる. |
(英) |
For the purpose of realization of monolithic light sources on a silicon chip, Ge epitaxial growth technique was investigated, and a Ge light emitting diode, which consists of a Ge waveguide grown on a pn diode fabricated on SOI (silicon-on-insulator) layer, was fabricated. A post annealing after low temperature epitaxial growth of Ge layer effectively improved the crystallinity and light emitting properties of Ge, and fabricated devices showed good electrical and luminous properties. |
キーワード |
(和) |
シリコンフォトニクス / Ge / 発光ダイオード / / / / / |
(英) |
Silicon photonics / Ge / Light emitting diode / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 329, LQE2012-119, pp. 121-124, 2012年11月. |
資料番号 |
LQE2012-119 |
発行日 |
2012-11-22 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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