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講演抄録/キーワード
講演名 2012-11-30 16:50
モノリシック光源に向けたゲルマニウム発光素子の研究
谷 和樹斎藤慎一小田克矢光電子融合基盤技研)・奥村忠嗣峰 利之日立)・井戸立身光電子融合基盤技研ED2012-91 CPM2012-148 LQE2012-119 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-91 CPM2012-148 LQE2012-119
抄録 (和) Si基板上にモノリシックに集積可能な光源の開発を目指して, Ge単結晶成長技術の開発と,Ge発光素子の試作検討を行った.結晶成長技術においては,低温エピタキシャル成長したGe層をポストアニールする事により,結晶性及び発光特性の向上を確認した.また,電極部における自由キャリア吸収による損失を低減するため,素子をSOI (silicon-on-insulator) に形成した横型pnダイオード上に成長したGe導波路に電流を横方向に注入する構造にした.試作した素子は良好な電気特性と電流注入発光特性を示したため,本Ge発光素子はSi基板上のモノリシック集積光源として有望であると考えられる. 
(英) For the purpose of realization of monolithic light sources on a silicon chip, Ge epitaxial growth technique was investigated, and a Ge light emitting diode, which consists of a Ge waveguide grown on a pn diode fabricated on SOI (silicon-on-insulator) layer, was fabricated. A post annealing after low temperature epitaxial growth of Ge layer effectively improved the crystallinity and light emitting properties of Ge, and fabricated devices showed good electrical and luminous properties.
キーワード (和) シリコンフォトニクス / Ge / 発光ダイオード / / / / /  
(英) Silicon photonics / Ge / Light emitting diode / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 329, LQE2012-119, pp. 121-124, 2012年11月.
資料番号 LQE2012-119 
発行日 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2012-91 CPM2012-148 LQE2012-119 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-91 CPM2012-148 LQE2012-119

研究会情報
研究会 ED LQE CPM  
開催期間 2012-11-29 - 2012-11-30 
開催地(和) 大阪市立大学 
開催地(英) Osaka City University 
テーマ(和) 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 
テーマ(英) Nitride and Compound Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2012-11-ED-LQE-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) モノリシック光源に向けたゲルマニウム発光素子の研究 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Development of Ge Light Emitter for Monolithic Light Source 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シリコンフォトニクス / Silicon photonics  
キーワード(2)(和/英) Ge / Ge  
キーワード(3)(和/英) 発光ダイオード / Light emitting diode  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 谷 和樹 / Kazuki Tani / タニ カズキ
第1著者 所属(和/英) 技術研究組合光電子融合基盤研究所 (略称: 光電子融合基盤技研)
Photoniks Electronics Technology Research Association (略称: PETRA)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 斎藤 慎一 / Shin-ichi Saito / サイトウ シンイチ
第2著者 所属(和/英) 技術研究組合光電子融合基盤研究所 (略称: 光電子融合基盤技研)
Photoniks Electronics Technology Research Association (略称: PETRA)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小田 克矢 / Katsuya Oda / オダ カツヤ
第3著者 所属(和/英) 技術研究組合光電子融合基盤研究所 (略称: 光電子融合基盤技研)
Photoniks Electronics Technology Research Association (略称: PETRA)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 奥村 忠嗣 / Tadashi Okumura / オクムラ タダシ
第4著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 峰 利之 / Toshiyuki Mine / ミネ トシユキ
第5著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 井戸 立身 / Tatemi Ido / イド タテミ
第6著者 所属(和/英) 技術研究組合光電子融合基盤研究所 (略称: 光電子融合基盤技研)
Photoniks Electronics Technology Research Association (略称: PETRA)
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講演者 第1著者 
発表日時 2012-11-30 16:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 ED2012-91, CPM2012-148, LQE2012-119 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.327(ED), no.328(CPM), no.329(LQE) 
ページ範囲 pp.121-124 
ページ数
発行日 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) 


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