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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-11-30 09:30 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長 ○神野大樹・岡田俊祐・三宅秀人・平松和政（三重大）・江夏悠貴・長尾 哲（三菱化学）  ED2012-77 CPM2012-134 LQE2012-105 |
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| 抄録 | （和） | (10-10) GaNや(20-21) GaN，(20-2-1) GaNをはじめとする非極性GaN基板上へのGaNの選択MOVPE成長を行い，それによって形成されるファセット構造を明らかにした．SiO2マスクのストライプ方向によって得られる構造は異なり，[-12-10]方向の場合には，全ての非極性GaN基板において主に(000-1)と(10-11)ファセットで構成される非対称な構造が得られた．一方，[-1014]及び[10-14]方向の場合には，(20-21) GaNでは{11-20}ファセット，(20-2-1) GaNでは(20-2-1)ファセットが大きく出現した． |
| （英） | The selective-area growth (SAG) on nonpolar (10-10) (20-21) (20-2-1) GaN substrates by MOVPE was demonstrated, and the facet structures were investigated. The different structures depending on the SiO2-mask stripe directions were observed. Anisotropic structures with (000-1) and (10-11) facets were obtained for all of the nonpolar GaN substrates along the [-12-10] direction. On the other hand, {11-20} and (20-2-1) facets appeared for SAG on the (20-21) GaN and (20-2-1) GaN substrates with SiO2 mask along the [-1014] and [10-14] directions, respectively. | |
| キーワード | （和） | 非極性 / GaN / MOVPE / 選択成長 / ファセット / / / |
| （英） | nonpolar / GaN / MOVPE / selective area growth / facets / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 329, LQE2012-105, pp. 51-54, 2012年11月. | |
| 資料番号 | LQE2012-105 | |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-77 CPM2012-134 LQE2012-105 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2012-11-29 - 2012-11-30 |
| 開催地（和） | 大阪市立大学 |
| 開催地（英） | Osaka City University |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2012-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Selective MOVPE growth on nonpolar GaN substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 非極性 / nonpolar |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(4)（和/英） | 選択成長 / selective area growth |
| キーワード(5)（和/英） | ファセット / facets |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 神野 大樹 / Daiki Jinno / ジンノ ダイキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 俊祐 / Shunsuke Okada / オカダ シュンスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake / ミヤケ ヒデト |
| 第3著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu / ヒラマツ カズマサ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江夏 悠貴 / Yuuki Enatsu / エナツ ユウキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三菱化学 (略称： 三菱化学) Mitsubishi Chemical Corporation (略称： Mitsubishi Chemical Corp.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長尾 哲 / Satoru Nagao / ナガオ サトル |
| 第6著者 所属（和/英） | 三菱化学 (略称： 三菱化学) Mitsubishi Chemical Corporation (略称： Mitsubishi Chemical Corp.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-11-30 09:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2012-77, CPM2012-134, LQE2012-105 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.327(ED), no.328(CPM), no.329(LQE) |
| ページ範囲 | pp.51-54 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) |
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