講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-04-11 11:40
[招待講演]書き換え1000万回超のReRAMを実現する微細フィラメント形成技術及びレベルベリファイ書込み方式 ○川原昭文・河合 賢・池田雄一郎・加藤佳一・東 亮太郎・吉本裕平・田邊浩平・魏 志強・二宮健生・片山幸治・村岡俊作・姫野敦史・島川一彦・高木 剛・青野邦年(パナソニック) ICD2013-4 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2013-4 |
抄録 |
(和) |
1T1R型ReRAMメモリアレイにおいて、書き換え回数が従来の10倍以上の1000万回超の性能と、微細プロセスに対応可能なフィラメント形成を実現した。自己完結及び電流制限方式を有する2ステップフォーミング回路と、過渡的な状態を回復するベリファイアルゴリズムと最適書込みパルス発生の可能なレベルベリファイ回路を、110nm 256Kbit TEGを用いて開発した。 |
(英) |
Endurance characteristics over 10 million cycles almost 10 times higher as existing, and the small filament for leading edge process, are realized in 1T1R ReRAM array. A 2-step forming circuit with self-consistent and current-limiting schemes, and a level-verify circuit with verify algorithm for transient state recovery and adaptive write pulse generation, are developed in a 110nm 256Kb test chip. |
キーワード |
(和) |
ReRAM / 1T1R / フィラメント / 2ステップフォーミング / レベルベリファイ / 書き換え回数 / / |
(英) |
ReRAM / 1T1R / Filament / 2-step forming / Level-verify / Endurance / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 1, ICD2013-4, pp. 15-20, 2013年4月. |
資料番号 |
ICD2013-4 |
発行日 |
2013-04-04 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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