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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-04-11 14:45 ［依頼講演］4T-2MTJセル構造に基づく不揮発TCAMチップの実現 ○松永翔雲（東北大）・三浦貞彦・本庄弘明（NEC）・木下啓蔵・池田正二・遠藤哲郎・大野英男・羽生貴弘（東北大）  ICD2013-7 |
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| 抄録 | （和） | 高性能な情報検索機能を実現する並列構造の専用ハードウェア，Ternary Content-Addressable Memory (TCAM) では，記憶情報の大容量化と検索処理の低スタンバイ電力化が強く要求される．本稿では，4個のMOSトランジスタと 2個のMagnetic Tunnel Junction (MTJ) 素子を用いることで，記憶機能が不揮発化され，かつ所望の演算機能も実現できる新しい不揮発TCAMセル構造（4T-2MTJ構造）を提案する．90nm CMOSプロセスと100nm MTJプロセスにおいて3.14 $\mu m^2$ という最小面積の不揮発TCAMセルを実現し，不揮発TCAMテストチップによりその動作を実証した．また，本提案手法による大容量化と低スタンバイ電力化の優位性を明らかにする． |
| （英） | Higher density and lower standby power are demanded in ternary content-addressable memory (TCAM), that realizes huge number of information retrieval at a time with its fully parallel manner. In this paper, we propose and demonstrate a four-MOS-transistor/two-MTJ-device (4T-2MTJ) cell circuit for a standby-power-free and high-density fully parallel nonvolatile TCAM. By optimally merging a nonvolatile storage function and a comparison logic function into the TCAM cell circuit with nonvolatile logic-in-memory structure, the transistor counts required in the cell circuit become minimized. As a result, the cell size becomes 3.14 $\mu m^2$ under a 90-nm CMOS and a 100-nm MTJ technologies. | |
| キーワード | （和） | 不揮発 / スピントロニクス / スタンバイ電力 / 完全並列 / 連想メモリ / / / |
| （英） | Nonvolatile / spintronics / standby power / fully parallel / associative memory / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 1, ICD2013-7, pp. 33-38, 2013年4月. | |
| 資料番号 | ICD2013-7 | |
| 発行日 | 2013-04-04 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2013-7 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2013-04-11 - 2013-04-12 |
| 開催地（和） | 産業技術総合研究所 つくばセンター |
| 開催地（英） | Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| テーマ（和） | メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術 |
| テーマ（英） | Memory Device Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2013-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 4T-2MTJセル構造に基づく不揮発TCAMチップの実現 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of a Nonvolatile TCAM Chip Based on 4T-2MTJ Cell Structure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 不揮発 / Nonvolatile |
| キーワード(2)（和/英） | スピントロニクス / spintronics |
| キーワード(3)（和/英） | スタンバイ電力 / standby power |
| キーワード(4)（和/英） | 完全並列 / fully parallel |
| キーワード(5)（和/英） | 連想メモリ / associative memory |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松永 翔雲 / Shoun Matsunaga / マツナガ ショウン |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 貞彦 / Sadahiko Miura / ミウラ サダヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電気 (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本庄 弘明 / Hiroaki Honjo / ホンジョウ ヒロアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本電気 (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木下 啓蔵 / Keizo Kinoshita / キノシタ ケイゾウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 正二 / Shoji Ikeda / イケダ ショウジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 哲郎 / Tetsuo Endoh / エンドウ テツオ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大野 英男 / Hideo Ohno / オオノ ヒデオ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 羽生 貴弘 / Takahiro Hanyu / ハニュウ タカヒロ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-04-11 14:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2013-7 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.1 |
| ページ範囲 | pp.33-38 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-04-04 (ICD) |
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