講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-04-12 15:30
[依頼講演]デジタル電流比較器制御によるSRAM待機電力の削減 ○前田徳章・小松成亘・森本薫夫・田中浩二・塚本康正・新居浩二・島崎靖久(ルネサス エレクトロニクス) ICD2013-21 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2013-21 |
抄録 |
(和) |
モバイルアプリケーション用途の高性能・低待機電力SRAMを提案する。デジタル電流比較器を利用し、温度によって最適なスタンバイモードを選択することで待機時のリーク電流を半減できる。28nm CMOSで試作した32KbのSRAMにおいて、アクセスタイム420psと0.41Aのリーク電流を達成した. |
(英) |
A high-performance and low-leakage current embedded SRAM for mobile phones is proposed. The proposed SRAM has two low-voltage resume-standby modes to reduce the standby leakage. An all digital current comparator is also proposed to choose a suitable standby mode. A test chip was fabricated using 28 nm HKMG CMOS technology. The proposed 32 Kb SRAM achieves 0.41 μA standby leakage which is half of the conventional value, with 420 ps access.
Keyword 28nm, SRAM, Power Gating,Low-leakage current, Retention, Current Comparator. |
キーワード |
(和) |
28nm / SRAM / パワーゲーティング / 低リーク / リテンション / 電流比較器 / / |
(英) |
28nm / SRAM / Power Gating / Low-leakage current / Retention / Current Comparator / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 1, ICD2013-21, pp. 109-114, 2013年4月. |
資料番号 |
ICD2013-21 |
発行日 |
2013-04-04 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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