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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-04-12 10:20 ［招待講演］高信頼ビッグデータ向けフラッシュメモリ/ReRAM統合ソリッド・ステート・ストレージシステム ○田中丸周平（中大/東大）・土井雅史・竹内 健（中大）  ICD2013-14 |
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| 抄録 | （和） | 高信頼ビッグデータ向けフラッシュメモリ/ReRAM統合ソリッド・ステート・ストレージシステムを提案する．さらに，統合ストレージコントローラ内に，逆ミラーリング，エラー削減機構，ページRAID，エラーマスキングの4つの高信頼技術を提案する．逆ミラーリングとエラー削減機構はミラーリング技術である．提案の技術はエラーパターンが非対称であるNANDフラッシュメモリと，高速かつ上書きが可能で，書き換え寿命の長いReRAMを効果的に組み合わせたものである．その結果，許容できるNANDフラッシュメモリのビットエラー率(BER)は32倍改善した．これは書き換え回数が4.2倍，またはデータ保持時間が34倍改善したことに相当する． |
| （英） | Unified solid-state storage (USSS) with hybrid NAND flash memory / ReRAM provides high system-level data protection. Four highly reliable techniques, reverse-mirroring (RM), error-reduction synthesis (ERS), page-RAID, and error-masking (EM) are proposed in the unified storage controller. RM and EM are the mirroring techniques. These technologies utilize NAND error patterns asymmetries. Moreover fast, page-rewritable, and high endurance ReRAM is effectively used for temporary storage. As a result, the acceptable raw BER of NAND increases by 32-times, or endurance or data retention time of NAND is increased by 4.2 or 34-times, respectively, by applying all of the proposed techniques. | |
| キーワード | （和） | ストレージ / ビッグデータ / 信頼性 / ReRAM / / / / |
| （英） | Storage / Big-data / Reliability / ReRAM / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 1, ICD2013-14, pp. 67-72, 2013年4月. | |
| 資料番号 | ICD2013-14 | |
| 発行日 | 2013-04-04 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2013-14 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2013-04-11 - 2013-04-12 |
| 開催地（和） | 産業技術総合研究所 つくばセンター |
| 開催地（英） | Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| テーマ（和） | メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術 |
| テーマ（英） | Memory Device Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2013-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高信頼ビッグデータ向けフラッシュメモリ/ReRAM統合ソリッド・ステート・ストレージシステム |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Unified Solid-State-Storage Architecture with NAND Flash Memory and ReRAM that Tolerates 32× Higher BER for Big-Data Applications |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ストレージ / Storage |
| キーワード(2)（和/英） | ビッグデータ / Big-data |
| キーワード(3)（和/英） | 信頼性 / Reliability |
| キーワード(4)（和/英） | ReRAM / ReRAM |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中丸 周平 / Shuhei Tanakamaru / タナカマル シュウヘイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 中央大学/東京大学 (略称： 中大/東大) Chuo University/University of Tokyo (略称： Chuo Univ./Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土井 雅史 / Masafumi Doi / ドイ マサフミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第3著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-04-12 10:20:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2013-14 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.1 |
| ページ範囲 | pp.67-72 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-04-04 (ICD) |
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