講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-06-21 16:55
触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いたZnO膜の成長 ~ ガラス基板上堆積膜の特性改善の試み ~ ○竹澤和樹・中村友紀・小柳貴寛・加藤孝弘(長岡技科大)・片桐裕則・大石耕一郎・神保和夫(長岡高専)・安井寛治(長岡技科大) EMD2013-23 CPM2013-38 OME2013-46 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2013-23 CPM2013-38 OME2013-46 |
抄録 |
(和) |
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の自己発熱反応を利用して高エネルギーH2Oを生成、アルキル亜鉛ガスと反応させ形成した高エネルギーZnOプリカーサを基板に供給、ガラス基板上にZnO結晶膜を成長させた。サファイア基板上への成長膜とは異なりガラス基板上への直接成長では結晶配向性、表面モフォロジーそしてホール移動度が大きく悪化したため、バッファー層の挿入により特性が改善出来ないか調べた。その結果、同じCVD法により低温バッファー層を挿入することでホール移動度の増大が見られ、この増大とバンド端の揺らぎを示す経験的パラメータE0との間に明確な相関が見られた。 |
(英) |
ZnO thin films were grown on glass substrates through a reaction between dimethylzinc and high-energy H2O. The latter was produced by a Pt-catalyzed H2O2 reaction. Although the ZnO films grown on a-sapphire substrates showed excellent electrical properties, those grown on glass substrates showed poor electrical properties. For the application of transparent conductive thin films, the improvement of the optical and electrical properties of the ZnO films on the glass substrates were tried by a insertion of low temperature buffer layer. Although crystal orientation along c-axis was not improved by the buffer layer, Hall mobility was improved. The improvement of the Hall mobility was correlated well with an empirical parameter E0 estimated from the absorption coefficients at sub-bandgap energy. |
キーワード |
(和) |
酸化亜鉛 / 触媒反応 / 化学気相堆積法 / 表面モフォロジー / 光透過率 / Hall移動度 / / |
(英) |
ZnO / catalytic reaction / CVD / surface morphology / optical transmittance / Hall mobility / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 97, CPM2013-38, pp. 89-94, 2013年6月. |
資料番号 |
CPM2013-38 |
発行日 |
2013-06-14 (EMD, CPM, OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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