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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-06-21 11:00 化学気相成長法による単層カーボンナノチューブの配向制御とカイラリティ制御 ○相良拓実・津田悠作・吉田圭佑（日大）・石井宏治・矢島博文（東京理科大）・岩田展幸・山本 寛（日大）  EMD2013-12 CPM2013-27 OME2013-35 エレソ技報アーカイブへのリンク：EMD2013-12 CPM2013-27 OME2013-35 |
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| 抄録 | （和） | 単層カーボンナノチューブ(single-walled carbon nanotubes :SWNTs)を用いたナノスケール電子デバイスを作製するため、面内配向とカイラリティの同時制御を目的とする。その第一段階として、r面サファイア基板を用いた面内配向制御とSWNTs成長中に自由電子レーザ(free electron laser :FEL)を照射したカイラリティ制御を行った。ラマンスペクトル結果より、r面サファイア基板上に成長させた場合、金属性と半導体性のSWNTsが混在して成長しており、SPM表面像より[-111]方向に揃って成長していたが、長さは500nmとなった。SiO2/Si基板では成長中に800 nm のFELを照射することにより、4種類のカイラリティを持ったSWNTsが成長し全て半導体性のみに制限された。 |
| （英） | The purpose of this study is synthesis of in-plane aligned and chirality controlled single-walled carbon nanotubes (SWNTs) for nano electronic devices. As a first step, in-plane aligned SWNTs is addressed to synthesize on r-cut Al2O3 substrate, and chirality control of the SWNTs is undertaken by free electron laser (FEL) irradiation during growth on SiO2/Si substrate. On r-cut Al2O3 substrate without FEL, the Raman spectrum shows growth of mixture metal and semiconducting SWNTs, and the surface image demonstrates that the aligned SWNTs are observed along the [-111] direction, although the length of the SWNTs is approximately 500 nm. On SiO2/Si substrate, grown SWNTs with 800nm-FEL irradiation is only semiconducting with fourth kinds of chilarity, demonstrated by the Raman spectra with multi excitation lasers. | |
| キーワード | （和） | 単層カーボンナノチューブ / 面内配向 / 自由電子レーザ / / / / / |
| （英） | single-walled carbon nanotubes / in-plane aligned / free electron laser / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 97, CPM2013-27, pp. 25-30, 2013年6月. | |
| 資料番号 | CPM2013-27 | |
| 発行日 | 2013-06-14 (EMD, CPM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EMD2013-12 CPM2013-27 OME2013-35 エレソ技報アーカイブへのリンク：EMD2013-12 CPM2013-27 OME2013-35 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD CPM OME |
| 開催期間 | 2013-06-21 - 2013-06-21 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 材料デバイスサマーミーティング |
| テーマ（英） | Summer meeting for materials and devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2013-06-EMD-CPM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 化学気相成長法による単層カーボンナノチューブの配向制御とカイラリティ制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Simultaneous control of In-plane Orientation and Chirality of Single-Walled Carbon Nanotubes by Cold-Wall Chemical Vapor Deposition Method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 単層カーボンナノチューブ / single-walled carbon nanotubes |
| キーワード(2)（和/英） | 面内配向 / in-plane aligned |
| キーワード(3)（和/英） | 自由電子レーザ / free electron laser |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 相良 拓実 / Takumi Sagara / サガラ タクミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 津田 悠作 / Yusaku Tsuda / ツダ ユウサク |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 圭佑 / Keisuke Yoshida / ヨシダ ユウスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石井 宏治 / Koji Ishii / イシイ コウジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Sicence (略称： Tokyo Univ. of Sicence) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢島 博文 / Hirofumi Yajima / ヤジマ ヒロフミ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Sicence (略称： Tokyo Univ. of Sicence) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩田 展幸 / Nobuyuki Iwata / イワタ ノブユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 寛 / Hiroshi Yamamoto / ヤマモト ヒロシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-06-21 11:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | EMD2013-12, CPM2013-27, OME2013-35 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.96(EMD), no.97(CPM), no.98(OME) |
| ページ範囲 | pp.25-30 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-06-14 (EMD, CPM, OME) |
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