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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-08-01 14:10 原子層エピタキシー法を用いた超高効率多接合型太陽電池用材料(In)GaAsNの開発 ○鈴木秀俊・原口智宏・山内俊浩・福山敦彦・碇 哲雄（宮崎大）  CPM2013-41 |
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| 抄録 | （和） | (In)GaAsNは超高効率多接合型太陽電池用材料として期待されているが、N起因の欠陥やN原子の不均一な分布の為十分な特性が得られていない。我々は、これまでに結晶成長中の表面構造を制御する事で高品質化が期待出来る事を示してきた。そこで、成長中の表面をより精密に制御可能な原子層エピタキシー(ALE)法に注目し、高品質な(In)GaAsN薄膜に取り組んでいる。今回は、ALE成長に不可欠な自動停止機構に有効な成長条件探索の結果及び残留不純物混入過程に関して報告を行う。 |
| （英） | High quality GaAsN thin films were fabricated by atomic layer epitaxy (ALE). The effects of gas flow sequences on self-limiting mechanism (SLM), N incorporation, and residual impurities were investigated as a first step to grow GaAsN on precisely controlled surface by ALE. N precursor molecules were supplied to Ga (On-Ga) and As terminated surfaces (On-As). The On-As case showed rough surface and their crystal qualities were not good. In On-Ga case, SLM functioned well in whole growth temperature region and On-Ga sample showed low density of residual impurities. These demonstrated that On-Ga sequence is effective to grow GaAsN thin films on precisely controlled surface by ALE technique. |
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| キーワード | （和） | 多接合太陽電池 / 希薄窒化物 / GaAsN / 原子層エピタキシー / / / / |
| （英） | Multi-junction solar cells / dilute nitride / GaAsN / atomic layer epitaxy / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 171, CPM2013-41, pp. 11-15, 2013年8月. | |
| 資料番号 | CPM2013-41 | |
| 発行日 | 2013-07-25 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2013-41 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2013-08-01 - 2013-08-02 |
| 開催地（和） | 釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子部品・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2013-08-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 原子層エピタキシー法を用いた超高効率多接合型太陽電池用材料(In)GaAsNの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of (In)GaAsN thin films for Ultra High Efficiency Multi-Junction Solar Cells by Atomic Layer Epitaxy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多接合太陽電池 / Multi-junction solar cells |
| キーワード(2)（和/英） | 希薄窒化物 / dilute nitride |
| キーワード(3)（和/英） | GaAsN / GaAsN |
| キーワード(4)（和/英） | 原子層エピタキシー / atomic layer epitaxy |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 秀俊 / Hidetoshi Suzuki / スズキ ヒデトシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 宮崎大学 (略称： 宮崎大) University of Miyazaki (略称： Univ. of Miyazaki) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原口 智宏 / Tomohiro Haraguchi / ハラグチ トモヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 宮崎大学 (略称： 宮崎大) University of Miyazaki (略称： Univ. of Miyazaki) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山内 俊浩 / Toshihiro Yamauchi / ヤマウチ トシヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 宮崎大学 (略称： 宮崎大) University of Miyazaki (略称： Univ. of Miyazaki) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福山 敦彦 / Atsuhiko Fukuyama / フクヤマ アツヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 宮崎大学 (略称： 宮崎大) University of Miyazaki (略称： Univ. of Miyazaki) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 碇 哲雄 / Tetsuo Ikari / イカリ テツオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 宮崎大学 (略称： 宮崎大) University of Miyazaki (略称： Univ. of Miyazaki) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-08-01 14:10:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2013-41 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.171 |
| ページ範囲 | pp.11-15 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2013-07-25 (CPM) |
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