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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-08-01 14:30 Si基板表面炭化によるCubic-SiC膜形成機構の考察 ○渡邉幸宗・上村喜一（信州大）  CPM2013-42 |
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| 抄録 | （和） | ワイドバンドギャップ材料のSiCは高耐圧素子向けに開発が盛んになされている．本研究では，比較的低温で形成できる立方晶構造のCubic(3C)-SiCに着目し，大口径Si基板上へ高品質なSiCエピタキシャル膜の実現を目指し検討を進めている．ヘテロエピタキシャル成長では，特に界面での膜形成機構が，結晶品質に大きく影響する．そこで，初期膜の形成機構を明らかにすることを目的に，低圧力・低温（1000℃）条件における炭化水素ガスによるSi基板表面の炭化実験を行いメカニズムについて考察した．その結果，炭化膜は２つの形成機構により形成され，形成初期は基板から昇華したSi元素とガス中の炭素元素が反応しエピタキシャル成長する形成機構によりされことと，初期膜形成後は炭化膜の結晶欠陥部分を炭素元素が拡散することにより膜成長することがわかった． |
| （英） | SiC materials for high-power devices and high-frequency devices are actively developed. In this study, we focus on a cubic(3C)-SiC that can be formed by the low temperature process, and we investigated to form high quality epitaxial films on Si substrate. A thin carbonized layer was formed on the Si substrate before the deposition of SiC to improve the quality of the SiC film. The formation mechanism of the carbonized layer greatly influences the crystal quality of the heteroepitaxial film. The carbonization conditions were carefully examined to clarify the formation mechanism of the carbonized layer. As the results, we found that the carbonized films formed by two different mechanisms. At the initial stage, the carbonized layer was formed epitaxially by the reaction of the Si element sublimed from the Si substrate and the carbon element decomposed form the hydrocarbon gas. Then the carbonized layer was grown by the reaction of the Si substrate and the carbon element diffused to the interface through the crystal defects of the carbonized layer. | |
| キーワード | （和） | Cubic-SiC / 3C-SiC / ワイドバンドギャップ / 炭化 / ヘテロエピタキシャル成長 / / / |
| （英） | Cubic-SiC / 3C-SiC / Wide Bandgap / Carbonization / Heteroepitaxial Growth / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 171, CPM2013-42, pp. 17-20, 2013年8月. | |
| 資料番号 | CPM2013-42 | |
| 発行日 | 2013-07-25 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2013-42 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2013-08-01 - 2013-08-02 |
| 開催地（和） | 釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子部品・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2013-08-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si基板表面炭化によるCubic-SiC膜形成機構の考察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation Mechanism of Cubic-SiC by Carbonization of Si Surface |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cubic-SiC / Cubic-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | 3C-SiC / 3C-SiC |
| キーワード(3)（和/英） | ワイドバンドギャップ / Wide Bandgap |
| キーワード(4)（和/英） | 炭化 / Carbonization |
| キーワード(5)（和/英） | ヘテロエピタキシャル成長 / Heteroepitaxial Growth |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邉 幸宗 / Yukimune Watanabe / ワタナベ ユキムネ |
| 第1著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上村 喜一 / Kiichi Kamimura / カミムラ キイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-08-01 14:30:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2013-42 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.171 |
| ページ範囲 | pp.17-20 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-07-25 (CPM) |
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