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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-08-02 10:00 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてa面サファイア基板上に成長したZnOエピタキシャル膜の結晶構造 山口直也・竹内智彦・中村友紀・大橋優樹・永富瑛智・玉山泰宏・○安井寛治（長岡技科大）  CPM2013-49 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2013-49 |
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| 抄録 | （和） | 白金ナノ粒子表面での水素と酸素の自己発熱反応を利用して高温のH2Oを生成し、気相中でアルキル亜鉛ガスと衝突させ高エネルギーZnOプリカーサを生成、a面サファイア基板に供給しZnO膜を作製した。様々な厚さのZnO膜を成長させそれらの電気伝導特性を調べたところ、約2800 nmまで膜厚の増加に伴い移動度は大きくなり500nm以下とそれ以上の膜厚で大きく電気伝導特性が異なり基板-膜界面に高密度の欠陥を有する層の存在が窺われた。膜厚約5μmのZnO膜について透過電子顕微鏡観察によりZnO膜の結晶構造について調べたところ結晶粒界は観察されず、単結晶膜であることが分かった。また、２波回折条件でのTEM観察より膜内の転位密度の評価を行った。 |
| （英） | Crystalline structure of ZnO thin films, which were grown on a-plane sapphire substrates through a reaction between dimethylzinc and high-temperature H2O produced by a Pt-catalyzed H2-O2 reaction, was measured. From the thickness dependence of the electrical properties, the electron mobility at room temperature increased from 54 to 189 cm2/(Vs) with increasing film thickness from 200 nm to 2800 nm. The temperature dependences of the Hall mobility and carrier concentration of ZnO films with thinner than 500 nm and thicker than 500 nm were quite different. The existence of the layer with high-defect density near the film-substrate interface was estimated. In this study, the crystalline structure of the ZnO film with 5 μm thickness grown on the a-plane sapphire substrates was observed using cross-sectional transmission electron microscopy (TEM). The dislocation density in the films was also evaluated under two-beam condition. | |
| キーワード | （和） | ZnO / 触媒反応 / 高温H2O / 結晶構造 / 転位 / / / |
| （英） | ZnO / catalytic reaction / high-temperature H2O / crystalline structure / dislocation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 171, CPM2013-49, pp. 51-56, 2013年8月. | |
| 資料番号 | CPM2013-49 | |
| 発行日 | 2013-07-25 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2013-49 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2013-49 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2013-08-01 - 2013-08-02 |
| 開催地（和） | 釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子部品・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2013-08-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてa面サファイア基板上に成長したZnOエピタキシャル膜の結晶構造 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystalline structure of ZnO thin films grown on a-plane sapphire substrates using high-energy H2O produced by a Pt-catalyzed H2-O2 reaction |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ZnO / ZnO |
| キーワード(2)（和/英） | 触媒反応 / catalytic reaction |
| キーワード(3)（和/英） | 高温H2O / high-temperature H2O |
| キーワード(4)（和/英） | 結晶構造 / crystalline structure |
| キーワード(5)（和/英） | 転位 / dislocation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 直也 / Naoya Yamaguchi / ヤマグチ ナオヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 智彦 / Tomohiko Takeuchi / |
| 第2著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 友紀 / Tomoki Nakamura / ナカムラ トモキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大橋 優樹 / Yuki Ohashi / オオハシ ユウキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永富 瑛智 / Eichi Nagatomi / ナガトミ エイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 玉山 泰宏 / Yasuhiro Tamayama / タマヤマ ヤスヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安井 寛治 / Kanji Yasui / ヤスイ カンジ |
| 第7著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
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| 講演者 | 第7著者 |
| 発表日時 | 2013-08-02 10:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2013-49 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.171 |
| ページ範囲 | pp.51-56 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-07-25 (CPM) |
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