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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-08-02 09:20 単層カーボンナノチューブ品質向上を目指したコールドウオール化学気相成長装置の基板ヒーター開発 津田悠作・相良拓実・山川健一・吉田圭佑・岩田展幸・○山本 寛（日大）  CPM2013-47 |
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| 抄録 | （和） | 単層カーボンナノチューブ(single-walled carbon nanotubes :SWNTs)を用いたナノスケール電子デバイス作製を目指し、アルコール触媒化学気相成長(alcohol catalytic chemical vapor deposition : ACCVD)法の開発を進めてきた。今回、コールドウオールCVD装置における、基板ヒーター周辺の機構や構造の改善を図りつつ、高品質SWNTsの最適作製条件を検討した。さらに、比較的高品質なSWNTsが作製できる条件の下で、カイラリティの選択的制御を可能とするために、SWNT成長中に800 nm の自由電子レーザ（FEL）を照射する新規プロセスを開発した。その結果、通常のCVDでは多種類のカイラリティの混在するSWNTs が形成されるのに対し、FEL照射CVD法によって、はじめて数種類の半導体カイラリティを持つSWNTsのみが成長することを確認した。本研究の成果は、今後の半導体SWNTsデバイス作製に適用される、有望なプロセスの一つが開発出来たことを意味している。 |
| （英） | We have developed an alcohol catalytic chemical vapor deposition (ACCVD) process in order to fabricate nanoscaled electronic devices using single-walled carbon nanotubes (SWNTs). A cold wall chemical vapor deposition (CVD) was adopted for preparation of SWNTs, and a structure of a substrate heater of the CVD apparatus was improved to obtain the optimum preparation conditions of high quality SWNTs. As a result the growth conditions of high quality SWNTs were studied. Furthermore a novel process was also developed to selectively control the chirality of SWNTs by in-situ irradiation of free electron laser (FEL) during the successful SWNTs growth. It was found that only semiconducting SWNTs were grown by 800 nm FEL irradiation, while various kinds of chirality appeared in SWNTs prepared by a conventional CVD process without FEL irradiation. From the obtained results a hopeful process was demonstrated for realization of new SWNTs electronic devices. | |
| キーワード | （和） | 単層カーボンナノチューブ / 化学気相成長法 / 基板ヒーター / 自由電子レーザ / カイラリティ / / / |
| （英） | single-walled carbon nanotubes / chemical vapor deposition / substrate heater / free electron laser / chirality control / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 171, CPM2013-47, pp. 39-44, 2013年8月. | |
| 資料番号 | CPM2013-47 | |
| 発行日 | 2013-07-25 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2013-47 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2013-08-01 - 2013-08-02 |
| 開催地（和） | 釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子部品・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2013-08-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 単層カーボンナノチューブ品質向上を目指したコールドウオール化学気相成長装置の基板ヒーター開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of Substrate Heater System of Cold-Wall Chemical Vapor Deposition Equipment for Improvement of Single-Walled Nanotubes Quality |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 単層カーボンナノチューブ / single-walled carbon nanotubes |
| キーワード(2)（和/英） | 化学気相成長法 / chemical vapor deposition |
| キーワード(3)（和/英） | 基板ヒーター / substrate heater |
| キーワード(4)（和/英） | 自由電子レーザ / free electron laser |
| キーワード(5)（和/英） | カイラリティ / chirality control |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 津田 悠作 / Yusaku Tsuda / ツダ ユウサク |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 相良 拓実 / Takumi Sagara / サガラ タクミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山川 健一 / Kenichi Yamakawa / ヤマカワ ケンイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 圭佑 / Keisuke Yoshida / ヨシダ ケイスケ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩田 展幸 / Nobuyuki Iwata / イワタ ノブユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 寛 / Hiroshi Yamamoto / ヤマモト ヒロシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 講演者 | 第6著者 |
| 発表日時 | 2013-08-02 09:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2013-47 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.171 |
| ページ範囲 | pp.39-44 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-07-25 (CPM) |
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