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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-10-24 16:55 低温プロセスによるSiNx膜の特性評価 ○武山真弓・佐藤 勝（北見工大）・中田義弘・小林靖志・中村友二（富士通研）・野矢 厚（北見工大）  CPM2013-100 |
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| 抄録 | （和） | 微細化により達成してきた従来のLSIの高性能化は、量子限界や微細化限界が切迫し、新たな方向性の検討が盛んに行われている。その一つに、3次元集積回路技術がある。近年、チップあるいはウェハ間を最短で配線するシリコン貫通ビア配線(Through Si Via: TSV)の実現により、急速に3次元LSIが発展してきた。そこで本研究では、TSVに欠かせない低温で有用なSiNx膜の作製を主に反応性スパッタにて行い、その特性を従来のPECVD法にて作製したSiNx膜と比較検討した。膜密度、屈折率、組成などのSiNx膜の特性は、主に膜中の結合状態に依存しており、Si-N結合をいかに形成するかが他の結合状態に比べて重要な要因となることが知られた。 |
| （英） | 3-dimensional stacked LSI is attracted much attention to solve the issues how to develop the integration density and/or functional variety of LSI without depending on the scaling down of the circuit size alone. Through-Si-Via (TSV) is an essential wiring technology to form a stack of chips or wafers in 3-D LSI. We examine the characterization of SiNx films deposited by reactive-sputtering and PECVD at low temperatures as an insulating barrier applicable to TSV. Features of prepared SiNx films, such as film density, refractive index, composition, are dependent on the ratio of the amount of Si-N chemical bonds to those of Si-O and Si-Si bonds in the film. It is revealed that the higher ratio of the Si-N bonds in the film is important factor for good density and/or refractive index of the film. | |
| キーワード | （和） | 3次元LSI / シリコン貫通ビア配線 / SiNx膜 / 低温作製 / 反応性スパッタ / PECVD / / |
| （英） | 3-dimensional stacked LSI / Through Si via / SiNx film / low temperature process / reactive sputtering / PECVD / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 268, CPM2013-100, pp. 35-39, 2013年10月. | |
| 資料番号 | CPM2013-100 | |
| 発行日 | 2013-10-17 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2013-100 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2013-10-24 - 2013-10-25 |
| 開催地（和） | 新潟大ときめいと |
| 開催地（英） | Niigata Univ. Satellite Campus TOKIMEITO |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料、一般 |
| テーマ（英） | Preparation of Thin Films, Materials for Physics and Applications, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2013-10-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低温プロセスによるSiNx膜の特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Properties of SiNx films prepared by low process temperature |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 3次元LSI / 3-dimensional stacked LSI |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン貫通ビア配線 / Through Si via |
| キーワード(3)（和/英） | SiNx膜 / SiNx film |
| キーワード(4)（和/英） | 低温作製 / low temperature process |
| キーワード(5)（和/英） | 反応性スパッタ / reactive sputtering |
| キーワード(6)（和/英） | PECVD / PECVD |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武山 真弓 / Mayumi B. Takeyama / タケヤマ マユミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： Kitami Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 勝 / Masaru Sato / サトウ マサル |
| 第2著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： Kitami Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中田 義弘 / Yoshihiro Nakata / ナカタ ヨシヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 富士通研究所 (略称： 富士通研) FUJITSU LABORATORIES LTD. (略称： FUJITSU LAB.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 靖志 / Yasushi Kobayashi / コバヤシ ヤスシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 富士通研究所 (略称： 富士通研) FUJITSU LABORATORIES LTD. (略称： FUJITSU LAB.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 友二 / Tomoji Nakamura / ナカムラ トモジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 富士通研究所 (略称： 富士通研) FUJITSU LABORATORIES LTD. (略称： FUJITSU LAB.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野矢 厚 / Atsushi Noya / ノヤ アツシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： Kitami Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-10-24 16:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2013-100 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.268 |
| ページ範囲 | pp.35-39 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2013-10-17 (CPM) |
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