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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-11-14 15:00 ［招待講演］シリコントライゲートナノワイヤトランジスタの低周波ノイズ特性解析 ○齋藤真澄・太田健介・田中千加・沼田敏典（東芝）  SDM2013-104 |
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| 抄録 | （和） | 本論文ではシリコントライゲートナノワイヤトランジスタの1/fノイズのチャネルサイズ依存性について系統的に調べる。様々なナノワイヤ幅(WNW)・ナノワイヤ高さ(HNW)・ナノワイヤ本数(NNW)を有するナノワイヤトランジスタを多数個用いてノイズ評価を行った。広い範囲のLg,WNW,HNWに対し、規格化ドレイン電流ノイズSId/Id2と1/(LgWeff)は1本の直線に乗る関係となり、これは従来のキャリア数揺らぎモデルで説明できる。しかし、幅が細いナノワイヤトランジスタ（最小幅10nm）では、ノイズはWNWに反比例して急激に増加する。これはナノワイヤチャネル上の単一トラップ中の電荷がチャネル全体のポテンシャルに影響を及ぼし、大きな電流変化を生み出すためだと考えられる（ボトルネック効果）。一方、短チャネルトランジスタ（最短ゲート長15nm）のノイズはチャネル面積及びチャネル上トラップ数の減少のために飽和する。 |
| （英） | We systematically study the channel size dependence of 1/f noise in silicon tri-gate nanowire transistors by measuring a large number of samples with various parameters such as nanowire width (WNW), height (HNW), and number (NNW). For a wide range of Lg, WNW and HNW, the universal line appears in the normalized noise (SId/Id2) - 1/(LgWeff) plot, which can be explained by conventional carrier number fluctuations. But, the noise of narrow nanowire transistors (down to 10nm) rapidly increases with 1/WNW due to bottleneck effects, where an electron in a single trap on the nanowire channel raises the potential of the whole channel along WNW and causes large current noise. Also, the noise of short-Lg Tr. (down to 15nm) saturates due to the reduction of channel area and a number of traps. | |
| キーワード | （和） | ナノワイヤ / トライゲート / 低周波ノイズ / キャリア数揺らぎ / トラップ / 寄生抵抗 / / |
| （英） | nanowire / tri-gate / low-frequency noise / carrier number fluctuation / trap / parasitic resistance / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 296, SDM2013-104, pp. 27-30, 2013年11月. | |
| 資料番号 | SDM2013-104 | |
| 発行日 | 2013-11-07 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-104 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2013-11-14 - 2013-11-15 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulations, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | シリコントライゲートナノワイヤトランジスタの低周波ノイズ特性解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Low-Frequency Noise in Silicon Tri-Gate Nanowire Transistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノワイヤ / nanowire |
| キーワード(2)（和/英） | トライゲート / tri-gate |
| キーワード(3)（和/英） | 低周波ノイズ / low-frequency noise |
| キーワード(4)（和/英） | キャリア数揺らぎ / carrier number fluctuation |
| キーワード(5)（和/英） | トラップ / trap |
| キーワード(6)（和/英） | 寄生抵抗 / parasitic resistance |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齋藤 真澄 / Masumi Saitoh / サイトウ マスミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 太田 健介 / Kensuke Ota / オオタ ケンスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 千加 / Chika Tanaka / タナカ チカ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 沼田 敏典 / Toshinori Numata / ヌマタ トシノリ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-11-14 15:00:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-104 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.296 |
| ページ範囲 | pp.27-30 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-11-07 (SDM) |
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