講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-11-14 15:00
[招待講演]シリコントライゲートナノワイヤトランジスタの低周波ノイズ特性解析 ○齋藤真澄・太田健介・田中千加・沼田敏典(東芝) SDM2013-104 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-104 |
抄録 |
(和) |
本論文ではシリコントライゲートナノワイヤトランジスタの1/fノイズのチャネルサイズ依存性について系統的に調べる。様々なナノワイヤ幅(WNW)・ナノワイヤ高さ(HNW)・ナノワイヤ本数(NNW)を有するナノワイヤトランジスタを多数個用いてノイズ評価を行った。広い範囲のLg,WNW,HNWに対し、規格化ドレイン電流ノイズSId/Id2と1/(LgWeff)は1本の直線に乗る関係となり、これは従来のキャリア数揺らぎモデルで説明できる。しかし、幅が細いナノワイヤトランジスタ(最小幅10nm)では、ノイズはWNWに反比例して急激に増加する。これはナノワイヤチャネル上の単一トラップ中の電荷がチャネル全体のポテンシャルに影響を及ぼし、大きな電流変化を生み出すためだと考えられる(ボトルネック効果)。一方、短チャネルトランジスタ(最短ゲート長15nm)のノイズはチャネル面積及びチャネル上トラップ数の減少のために飽和する。 |
(英) |
We systematically study the channel size dependence of 1/f noise in silicon tri-gate nanowire transistors by measuring a large number of samples with various parameters such as nanowire width (WNW), height (HNW), and number (NNW). For a wide range of Lg, WNW and HNW, the universal line appears in the normalized noise (SId/Id2) - 1/(LgWeff) plot, which can be explained by conventional carrier number fluctuations. But, the noise of narrow nanowire transistors (down to 10nm) rapidly increases with 1/WNW due to bottleneck effects, where an electron in a single trap on the nanowire channel raises the potential of the whole channel along WNW and causes large current noise. Also, the noise of short-Lg Tr. (down to 15nm) saturates due to the reduction of channel area and a number of traps. |
キーワード |
(和) |
ナノワイヤ / トライゲート / 低周波ノイズ / キャリア数揺らぎ / トラップ / 寄生抵抗 / / |
(英) |
nanowire / tri-gate / low-frequency noise / carrier number fluctuation / trap / parasitic resistance / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 296, SDM2013-104, pp. 27-30, 2013年11月. |
資料番号 |
SDM2013-104 |
発行日 |
2013-11-07 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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