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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-05-29 11:15 AlN基板の表面処理とホモエピタキシャル成長 ○渡邉祥順・三宅秀人・平松和政（三重大）・岩崎洋介（JFEミネラル）  ED2014-37 CPM2014-20 SDM2014-35 |
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| 抄録 | （和） | 窒化アルミニウムは深紫外域の発光・受光デバイスや高出力・高周波パワーデバイスなどの基板として注目されている。近年のHVPE法による自立基板の作製技術向上により、ホモエピタキシャル成長による低欠陥のAlN膜の作製が期待される。昇華法によるAlN自立基板上へのホモエピタキシャル成長においても、グレインの存在や表面状態によりクラックが発生する。そこで本研究では、クラックフリーかつ高品質AlN膜を目指して、AlN自立基板へ表面処理を施し、その後ホモエピタキシャル成長を行った。 |
| （英） | Aluminum nitride (AlN) attracted as a substrate for not only light-emitting diodes and detectors operating in the deep-ultraviolet region but also high-power and high-frequency power devices. Owing to the well-established hydride vapor phase epitaxy (HVPE) techniques of thick AlN layer in recent years, the fabrication of low-density AlN films by homoepitaxial growth is expected. As a result of AlN growth on a freestanding AlN substrate fabricated by the sublimation method, we previously reported that cracks occurred despite the homoepitaxial growth. This may be due to the presence of grains and the surface damage caused by polishing. In this study, for the purpose of producing crack-free and high-quality AlN films, we conducted surface treatment and homoepitaxial growth on freestanding AlN substrates. | |
| キーワード | （和） | AlN / 自立基板 / 表面処理 / ホモエピタキシャル成長 / HVPE法 / 加工基板 / / |
| （英） | AlN / freestanding substrate / surface treatment / homoepitaxial growth / hydride vapor phase epitaxy / trench substrate / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 57, CPM2014-20, pp. 97-100, 2014年5月. | |
| 資料番号 | CPM2014-20 | |
| 発行日 | 2014-05-21 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2014-37 CPM2014-20 SDM2014-35 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED SDM |
| 開催期間 | 2014-05-28 - 2014-05-29 |
| 開催地（和） | 名古屋大学VBL3階 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2014-05-CPM-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlN基板の表面処理とホモエピタキシャル成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Surface treatment and homoepitaxial growth on AlN substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(2)（和/英） | 自立基板 / freestanding substrate |
| キーワード(3)（和/英） | 表面処理 / surface treatment |
| キーワード(4)（和/英） | ホモエピタキシャル成長 / homoepitaxial growth |
| キーワード(5)（和/英） | HVPE法 / hydride vapor phase epitaxy |
| キーワード(6)（和/英） | 加工基板 / trench substrate |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邉 祥順 / Yoshinobu Watanabe / ワタナベ ヨシノブ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake / ミヤケ ヒデト |
| 第2著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu / ヒラマツ カズマサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩崎 洋介 / Yosuke Iwasaki / イワサキ ヨウスケ |
| 第4著者 所属（和/英） | JFEミネラル株式会社 (略称： JFEミネラル) JFE Mineral Company (略称： JFE Mineral) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-05-29 11:15:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2014-37, CPM2014-20, SDM2014-35 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.56(ED), no.57(CPM), no.58(SDM) |
| ページ範囲 | pp.97-100 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-05-21 (ED, CPM, SDM) |
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