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| 講演名 | 2014-09-04 13:55 オフ角Si(001)基板上に形成したAlN層上へのSiCヘテロエピタキシャル成長 ○目黒一熙・成田次理・上村駿洋・中澤日出樹（弘前大）  CPM2014-76 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2014-76 |
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| 抄録 | （和） | 4ºオフ角Si(100)基板およびSi(110)基板上に、窒化アルミニウム（AlN）ターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりAlN(0001)層を形成し、結晶性および表面モフォロジーを調べた。また、AlN層上にモノメチルシラン（CH3SiH3; MMS）を用いてSiC低温バッファ層を形成し、SiCターゲットを用いたPLD法によりSiCエピタキシャル成長を行った。薄膜の結晶性は反射高速電子線回折およびX線回折を用いて評価した。表面モフォロジーの評価には原子間力顕微鏡を用いた。4ºオフ角Si(100)基板上にAlN層を形成した場合、レーザー強度150 mJで形成したとき最も結晶性の良いAlNが得られた。さらに、AlN層上にSiC低温バッファ層およびSiC薄膜を作製することで、結晶性および平坦性の優れたSiC薄膜を得られた。また、Si(110)基板上にAlN層を形成した場合、結晶性が最も良好になるのは、レーザー強度150 mJ、基板温度750ºCおよび窒素圧力1 Paのときであった。 |
| （英） | We have grown aluminum nitride (AlN) films on 4º off-axis Si(100) and Si(110) substrates by pulsed laser deposition using an AlN target, and investigated the crystallinity and surface morphology of the grown films. We have also formed a SiC interfacial buffer layer on AlN/Si substrates at a low temperature by ultralow-pressure chemical vapor deposition using monomethylsilane (CH3SiH3; MMS), and grew 3C-SiC films on the buffer layer by pulsed laser deposition using a SiC target. The crystallinity of the films was evaluated by reflection high-energy electron diffraction and X-ray diffraction. The surface morphology of the films was observed by atomic force microscopy. We obtained the AlN layer with the best crystallinity on 4º off-axis Si(100) substrate at a laser intensity of 150 mJ. Moreover, we obtained the highly qualified SiC film with a smooth surface on the SiC buffer layer on the AlN layer. The AlN film with the best crystallinity was grown on Si (110) substrate at a laser intensity of 150 mJ, 750ºC, and a N2 pressure of 1 Pa. | |
| キーワード | （和） | 窒化アルミニウム / シリコンカーバイド / ヘテロエピタキシー / レーザーアブレーション / / / / |
| （英） | Aluminum nitride / Silicon Carbide / heteroepitaxy / Pulsed laser deposition / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 202, CPM2014-76, pp. 7-12, 2014年9月. | |
| 資料番号 | CPM2014-76 | |
| 発行日 | 2014-08-28 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2014-76 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2014-76 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2014-09-04 - 2014-09-05 |
| 開催地（和） | 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 |
| 開催地（英） | The 100th Anniversary Hall, Yamagata University |
| テーマ（和） | 電子部品・材料、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2014-09-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | オフ角Si(001)基板上に形成したAlN層上へのSiCヘテロエピタキシャル成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | SiC heteroepitaxial growth on an AlN layer formed on off-axis Si(001) substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化アルミニウム / Aluminum nitride |
| キーワード(2)（和/英） | シリコンカーバイド / Silicon Carbide |
| キーワード(3)（和/英） | ヘテロエピタキシー / heteroepitaxy |
| キーワード(4)（和/英） | レーザーアブレーション / Pulsed laser deposition |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 目黒 一熙 / Kazuki Meguro / メグロ カズキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 成田 次理 / Tsugutada Narita / ナリタ ツグタダ |
| 第2著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上村 駿洋 / Toshihiro Uemura / ウエムラ トシヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa / ナカザワ ヒデキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-09-04 13:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2014-76 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.202 |
| ページ範囲 | pp.7-12 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-08-28 (CPM) |
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