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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-09-05 10:45 RT Ga2O3 atomic layer deposition by using trimethylgallium and water-oxygen plasma ○P. Pungboon Pansila・Kensaku Kanomata・Bashir Ahmmad Arima・Shigeru Kubota・Fumihiko Hirose（Yamagata Univ.）  CPM2014-86 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | Gallium oxide is expected as a channel material for thin film transistors. In the conventional technologies, gallium oxide has been tried to be fabricated by atomic layer deposition (ALD) at high temperatures from 100-450 °C, although the room-temperature (RT) growth has not been developed. In this work, we developed the RT ALD of gallium oxide by using a remote plasma technique. We studied trimethylgallium (TMG) adsorption and its oxidization on gallium oxide surfaces at RT by infrared absorption spectroscopy (IRAS). Based on the adsorption and oxidization characteristics, we designed the room temperature ALD of Ga2O3. The IRAS indicated that TMG adsorbs on the gallium oxide surface by consuming the adsorption sites of surface hydroxyl groups even at RT and the remote plasma-excited water and oxygen vapor is effective in oxidizing the TMG adsorbed surface as well as regeneration of the adsorption sites for TMG. We successfully prepared Ga2O3 films on Si-substrates at RT with a growth per cycle of 0.042 nm/cycle. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | gallium oxide / trimethylgallium / remote plasma / IR absorption spectroscopy / adsorption / oxidization / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 202, CPM2014-86, pp. 59-64, 2014年9月. | |
| 資料番号 | CPM2014-86 | |
| 発行日 | 2014-08-28 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2014-86 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2014-09-04 - 2014-09-05 |
| 開催地（和） | 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 |
| 開催地（英） | The 100th Anniversary Hall, Yamagata University |
| テーマ（和） | 電子部品・材料、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2014-09-CPM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | RT Ga2O3 atomic layer deposition by using trimethylgallium and water-oxygen plasma |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / gallium oxide |
| キーワード(2)（和/英） | / trimethylgallium |
| キーワード(3)（和/英） | / remote plasma |
| キーワード(4)（和/英） | / IR absorption spectroscopy |
| キーワード(5)（和/英） | / adsorption |
| キーワード(6)（和/英） | / oxidization |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | ピー パンシラ / P. Pungboon Pansila / ピー パンシラ |
| 第1著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鹿又 健作 / Kensaku Kanomata / カノマタ ケンサク |
| 第2著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | バシール アハンマド / Bashir Ahmmad Arima / バシール アハンマド |
| 第3著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久保田 繁 / Shigeru Kubota / クボタ シゲル |
| 第4著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣瀬 文彦 / Fumihiko Hirose / ヒロセ フミヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-09-05 10:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2014-86 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.202 |
| ページ範囲 | pp.59-64 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-08-28 (CPM) |
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