講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-09-05 09:30
減圧MOCVD法による非極性窒化ガリウム膜の成長とその特性 寺口祐介・三宅祐介・西山智哉(長岡技科大)・大石耕一郎・片桐裕則(長岡高専)・玉山泰宏・○安井寛治(長岡技科大) CPM2014-83 |
抄録 |
(和) |
減圧MOCVD法を用いてr面サファア基板上に非極性GaN結晶膜を成長させた。低温バッファー層を挿入した二段階成長、更に中温度バッファー層を挿入した三段階成長プロセスを用いて結晶性、配向性をそして発光特性に優れた非極性GaN結晶膜の成長条件をしらべた。同じ方法で成長したc面サファイア基板上への極性GaNの特性と比較し、極性面による特性の違いについて考察した。 |
(英) |
No-polar GaN films were grown on r-planesapphire substrates using low pressure chemical vapor depsition. The GaN fiilms were grown by two-step growth and three-step growth, and their crystalinity, crstal orientation and photoluminescence properties were measured. Comparing the properties with polar GaN films grown on c-plane sapphire substrates, the differences in their properties by the film polarity were considered. |
キーワード |
(和) |
窒化ガリウム / 減圧CVD / X線回折 / フォトルミネッセンス / / / / |
(英) |
GaN / LPCVD / x-ray diffraction / photoluminescence / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 202, CPM2014-83, pp. 43-47, 2014年9月. |
資料番号 |
CPM2014-83 |
発行日 |
2014-08-28 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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