| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-10-24 15:20 TEOSを用いた熱CVD法による4H-SiC MIS特性に対するH2アニールの効果 ○狩野巧生・赤羽桂幸・小林悠太・山上朋彦・上村喜一（信州大）  CPM2014-109 |
|
| 抄録 | （和） | TEOSを用いた熱CVD法により4H-SiC(0001)Si面にSiO2膜を形成し、作製したSiO2/SiCキャパシタのH2アニールの界面特性への影響を調査した。TEOS-SiO2膜堆積後のH2アニールにより膜質が改善され、界面準位密度が大きく低減した。N2アニールでは熱CVD法により成膜したTEOS-SiO2膜中に熱分解されずに残留したTEOSがSiO2/SiC界面で反応し界面特性を劣化した。反応性の良いH2を用いたアニールにより、残留したTEOSがH2と反応するためSiO2/SiC界面で反応せず、特性が向上したと考えられる。また、H2アニールはSiO2/Si界面のダングリングボンドの終端に有効であるため界面特性が向上した可能性がある。 |
| （英） | Silicon dioxide films were deposited by the thermal decomposition of tetraethylorthosilicate (TEOS) to form the MIS structure, and were annealed in hydrogen ambient to improve the quality of TEOS-SiO2/SiC MIS interface. The quality of the film was improved by annealing in hydrogen ambient after deposition, and the interface state density was greatly reduced. Defects seemed to be formed at the interface between SiO2 and SiC during the annealing in N2 by the reaction of residual TEOS molecules in the SiO2 film with the SiC surface. The interface property was improved by the annealing in H2. This may be because no oxidation occurred and defects were terminated by H atoms during annealing in H2. | |
| キーワード | （和） | TEOS / SiC / MOS / 化学気相成長 / アニール / / / |
| （英） | TEOS / SiC / MOS / CVD / annealing / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 276, CPM2014-109, pp. 25-28, 2014年10月. | |
| 資料番号 | CPM2014-109 | |
| 発行日 | 2014-10-17 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2014-109 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2014-10-24 - 2014-10-25 |
| 開催地（和） | 信州大学工学部 地域共同研究センター３階研修 キャンパスマップ17番 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2014-10-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | TEOSを用いた熱CVD法による4H-SiC MIS特性に対するH2アニールの効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Post-Deposition Annealing in Hydrogen Atmosphere on 4H-SiCMIS Property Prepared by Thermal CVD Method Using Tetraethylorthosilicate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | TEOS / TEOS |
| キーワード(2)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(3)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(4)（和/英） | 化学気相成長 / CVD |
| キーワード(5)（和/英） | アニール / annealing |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 狩野 巧生 / Takuo Kanou / カノウ タクオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤羽 桂幸 / Yoshiyuki Akahane / アカハネ ヨシユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 悠太 / Yuta Kobayashi / コバヤシ ユウタ |
| 第3著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山上 朋彦 / Tomohiko Yamakami / ヤマカミ トモヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上村 喜一 / Kiichi Kamimura / カミムラ キイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-10-24 15:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2014-109 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.276 |
| ページ範囲 | pp.25-28 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-10-17 (CPM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]