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講演抄録/キーワード
講演名 2015-06-19 14:55
触媒反応支援CVD法によるガラス基板上ZnO膜成長におけるN2O添加初期層の効果
叶内慎吾石塚侑己大橋優樹長岡技科大)・大石耕一郎片桐裕則長岡高専)・玉山泰宏安井寛治長岡技科大EMD2015-15 CPM2015-25 OME2015-28
抄録 (和) 触媒反応により生成した高エネルギーH2Oを酸素源として用いたCVD法によるガラス基板上へのZnO膜成長において、N2O添加初期層を挿入することでZnO膜の特性改善を試みた。作製したZnO膜は光透過率、Hall効果、X線回折の測定により評価を行った。ZnO(0002)回折のωロッキングカーブの半値幅は適切なN2O添加初期層を挿入することで減少し、同時に電子移動度の向上も見られた。光吸収係数から得られるバンド端の揺らぎの指標となる経験的パラメータE0もN2O添加初期層の挿入により小さくなり、これは結晶粒界に起因するバンド端の揺らぎが抑えられたためと推察された。 
(英) Aiming at the growth of high-quality ZnO films on glass substrates by a new CVD method using a catalytic reaction, effect of N2O-doped seed layer inserted between the ZnO film and glass substrate was investigated. Dimethylzinc (DMZ) and high energy H2O generated by a catalytic reaction were used as zinc and oxygen sources, respectively. Electron mobility of the ZnO films increased by an appropriate N2O-doped seed layer and the maximum mobility of 30.1 cm2/Vs was obtained by the seed layer for 15 s. Optical transmittance in the visible wavelength region of 400-700 nm was also improved by the insertion of the N2O-doped seed layer. Parameter E0 indicating the fluctuation of the sub-bandgap energy of the films was evaluated from optical absorption coefficients at subband gap energy. The E0 decreased by the insertion of the N2O-doped seed layer and was correlated with the electron mobility of the ZnO films.
キーワード (和) ZnO / 触媒反応 / 高エネルギーH2O / Hall移動度 / バンド端の揺らぎ / / /  
(英) ZnO / catalytic reaction / high-energy H2O / electron mobility / band edge fluctuation / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 104, CPM2015-25, pp. 23-27, 2015年6月.
資料番号 CPM2015-25 
発行日 2015-06-12 (EMD, CPM, OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EMD2015-15 CPM2015-25 OME2015-28

研究会情報
研究会 EMD CPM OME  
開催期間 2015-06-19 - 2015-06-19 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 材料デバイスサマーミーティング 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2015-06-EMD-CPM-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 触媒反応支援CVD法によるガラス基板上ZnO膜成長におけるN2O添加初期層の効果 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effect of the insertion of N2O added buffer layer on the characteristics of ZnO films grow on glass substrates by catalytic reaction assisted chemical vapor deposition 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ZnO / ZnO  
キーワード(2)(和/英) 触媒反応 / catalytic reaction  
キーワード(3)(和/英) 高エネルギーH2O / high-energy H2O  
キーワード(4)(和/英) Hall移動度 / electron mobility  
キーワード(5)(和/英) バンド端の揺らぎ / band edge fluctuation  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 叶内 慎吾 / Shingo Kanouchi / カノウチ シンゴ
第1著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. technol.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 石塚 侑己 / Yuki Ishizuka / イシヅカ ユウキ
第2著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. technol.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 大橋 優樹 / Yuki Ohashi / オオハシ ユウキ
第3著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. technol.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 大石 耕一郎 / Koichiro Oishi / オオイシ コウイチロウ
第4著者 所属(和/英) 長岡工業高等専門学校 (略称: 長岡高専)
Nagaoka National College of Technology (略称: Nagaoka Nat. Coll. Technol.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 片桐 裕則 / Hironori Katagiri / カタギリ ヒロノリ
第5著者 所属(和/英) 長岡工業高等専門学校 (略称: 長岡高専)
Nagaoka National College of Technology (略称: Nagaoka Nat. Coll. Technol.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 玉山 泰宏 / Yasuhiro Tamayama / タマヤマ ヤスヒロ
第6著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. technol.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 安井 寛治 / Kanji Yasui / ヤスイ カンジ
第7著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. technol.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2015-06-19 14:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 EMD2015-15, CPM2015-25, OME2015-28 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.103(EMD), no.104(CPM), no.105(OME) 
ページ範囲 pp.23-27 
ページ数
発行日 2015-06-12 (EMD, CPM, OME) 


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