| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2015-06-19 14:55
触媒反応支援CVD法によるガラス基板上ZnO膜成長におけるN2O添加初期層の効果 ○叶内慎吾・石塚侑己・大橋優樹(長岡技科大)・大石耕一郎・片桐裕則(長岡高専)・玉山泰宏・安井寛治(長岡技科大) EMD2015-15 CPM2015-25 OME2015-28 |
| 抄録 |
(和) |
触媒反応により生成した高エネルギーH2Oを酸素源として用いたCVD法によるガラス基板上へのZnO膜成長において、N2O添加初期層を挿入することでZnO膜の特性改善を試みた。作製したZnO膜は光透過率、Hall効果、X線回折の測定により評価を行った。ZnO(0002)回折のωロッキングカーブの半値幅は適切なN2O添加初期層を挿入することで減少し、同時に電子移動度の向上も見られた。光吸収係数から得られるバンド端の揺らぎの指標となる経験的パラメータE0もN2O添加初期層の挿入により小さくなり、これは結晶粒界に起因するバンド端の揺らぎが抑えられたためと推察された。 |
| (英) |
Aiming at the growth of high-quality ZnO films on glass substrates by a new CVD method using a catalytic reaction, effect of N2O-doped seed layer inserted between the ZnO film and glass substrate was investigated. Dimethylzinc (DMZ) and high energy H2O generated by a catalytic reaction were used as zinc and oxygen sources, respectively. Electron mobility of the ZnO films increased by an appropriate N2O-doped seed layer and the maximum mobility of 30.1 cm2/Vs was obtained by the seed layer for 15 s. Optical transmittance in the visible wavelength region of 400-700 nm was also improved by the insertion of the N2O-doped seed layer. Parameter E0 indicating the fluctuation of the sub-bandgap energy of the films was evaluated from optical absorption coefficients at subband gap energy. The E0 decreased by the insertion of the N2O-doped seed layer and was correlated with the electron mobility of the ZnO films. |
| キーワード |
(和) |
ZnO / 触媒反応 / 高エネルギーH2O / Hall移動度 / バンド端の揺らぎ / / / |
| (英) |
ZnO / catalytic reaction / high-energy H2O / electron mobility / band edge fluctuation / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 104, CPM2015-25, pp. 23-27, 2015年6月. |
| 資料番号 |
CPM2015-25 |
| 発行日 |
2015-06-12 (EMD, CPM, OME) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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