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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-08-11 10:00 SOI基板上への高密度Geナノドットの形成 ～ フォトニック結晶による発光効率改善を目指して ～ 森岡 真・渡辺航大・富田雅隆・豊田英之・加藤有行・○玉山泰宏・上林利生・安井寛治（長岡技科大）  CPM2015-41 |
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| 抄録 | （和） | フォトニック結晶の共振効果による発光強度の増大を目指して，ガスソースMBE法を用いてSOI基板上にゲルマニウム(Ge)ナノドットの形成を行うと共に，走査型トンネル顕微鏡(STM)により表面形態を観察した．またSiCキャップ層を形成したサンプルの低温フォトルミネッセンス(PL)測定により，Geナノドットからと考えられる発光を確認した．さらに有限差分時間領域(FDTD)シミュレーションによりGeナノドットからの発光を増大させるフォトニック結晶の構造を求めた． |
| （英） | Aiming at the enhancement of emission intensity from Ge nanodots using photonic crystal, the Ge nanodots were formed on silicon-on-insulator (SOI) substrates by gas source MBE. Surface structure of the substrates after the dot formation was observed using a scanning tunneling microscope (STM). Emission from the nanodots was observed at approximately 0.8 eV by low-temperature photoluminescence (PL) measurement. A structure of the photonic crystal for the enhancement of emission from the Ge nanodots was calculated using finite-difference time-domain (FDTD) simulation. | |
| キーワード | （和） | Geナノドット / SOI基板 / フォトニック結晶 / STM / PL / / / |
| （英） | Ge-nonodot / SOI substrate / photonic crystal / STM / PL / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 179, CPM2015-41, pp. 51-55, 2015年8月. | |
| 資料番号 | CPM2015-41 | |
| 発行日 | 2015-08-03 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2015-41 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2015-08-10 - 2015-08-11 |
| 開催地（和） | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子部品・材料、一般（弘前大学電子情報工学科） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2015-08-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SOI基板上への高密度Geナノドットの形成 |
| サブタイトル（和） | フォトニック結晶による発光効率改善を目指して |
| タイトル（英） | Formation of high density Ge-nanodots on SOI substrates |
| サブタイトル（英） | Aiming at enhancement of emission from Ge-nanodots using photonic crystal |
| キーワード(1)（和/英） | Geナノドット / Ge-nonodot |
| キーワード(2)（和/英） | SOI基板 / SOI substrate |
| キーワード(3)（和/英） | フォトニック結晶 / photonic crystal |
| キーワード(4)（和/英） | STM / STM |
| キーワード(5)（和/英） | PL / PL |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森岡 真 / Makoto Morioka / モリオカ マコト |
| 第1著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaona Univ. Technol.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡辺 航大 / Koudai Watanabe / ワタナベ コウダイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaona Univ. Technol.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 富田 雅隆 / Masataka Tomita / トミタ マサタカ |
| 第3著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaona Univ. Technol.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 豊田 英之 / Hideyuki Toyota / トヨダ ヒデユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaona Univ. Technol.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 有行 / Ariyuki Kato / |
| 第5著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaona Univ. Technol.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 玉山 泰宏 / Yasuhiro Tamayama / タマヤマ ヤスヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaona Univ. Technol.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上林 利生 / Toshio Kanbayashi / |
| 第7著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaona Univ. Technol.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安井 寛治 / Kanji Yasui / ヤスイ カンジ |
| 第8著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaona Univ. Technol.) |
| 講演者 | 第6著者 |
| 発表日時 | 2015-08-11 10:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2015-41 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.179 |
| ページ範囲 | pp.51-55 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-08-03 (CPM) |
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