| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-07-23 15:55 Ge(111)基板上へのInSb薄膜のエピタキシャル成長 ○三枝孝彰・森 雅之・前澤宏一（富山大）  ED2016-31 |
|
| 抄録 | （和） | 近年、Siを用いた半導体デバイスの微細化による性能向上が限界に達しつつある。そこで我々は、超高速、低消費電力デバイスへの応用が期待されるGe及びIII-V族化合物半導体のInSbに注目した。Ge基板上へ高品質なInSb薄膜を作製することができれば、同一基板上にp-MOSとn-MOSを構成可能であるため、高性能CMOSの実現が期待できる。本研究では、MBE法でGe(111)基板上へ２段階成長法を用いてInSb薄膜の成長を行った。２段階成長法における低温バッファ層の成長条件の最適化により結晶性、平坦性がともに優れたInSb薄膜の作製に成功した。 |
| （英） | Recently, the improvement of the performance by the reduction in device size of the semiconductor device with Si is reaching the limit. We paid attention to Ge and InSb which are candidate materials for ultra-fast and low power device applications. If it were possible to grow high quality InSb films on Ge substrate, high performance CMOS by using these materials will be expected to realize on the identical substrate. In this study, we performed the MBE growth of InSb films on Ge(111) substrate using two-step growth procedure, and found that it can be grown InSb films with high crystal quality and smooth surface by optimizing growth conditions of low temperature buffer layer. | |
| キーワード | （和） | Ge / InSb / MBE / 薄膜 / エピタキシャル成長 / / / |
| （英） | Ge / InSb / MBE / thin films / epitaxial growth / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 158, ED2016-31, pp. 21-24, 2016年7月. | |
| 資料番号 | ED2016-31 | |
| 発行日 | 2016-07-16 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-31 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2016-07-23 - 2016-07-24 |
| 開催地（和） | 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 |
| 開催地（英） | Tokyo Metropolitan Univ. Minami-Osawa Campus, International House |
| テーマ（和） | 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 |
| テーマ（英） | Semiconductor Processes and Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2016-07-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Ge(111)基板上へのInSb薄膜のエピタキシャル成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Heteroepitaxial Growth of InSb thin films on a Ge(111) substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ge / Ge |
| キーワード(2)（和/英） | InSb / InSb |
| キーワード(3)（和/英） | MBE / MBE |
| キーワード(4)（和/英） | 薄膜 / thin films |
| キーワード(5)（和/英） | エピタキシャル成長 / epitaxial growth |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三枝 孝彰 / Takaaki Mitsueda / ミツエダ タカアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. Toyama) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 雅之 / Masayuki Mori / モリ マサユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. Toyama) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前澤 宏一 / Koichi Maezawa / コウイチ マエザワ |
| 第3著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. Toyama) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-07-23 15:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2016-31 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.158 |
| ページ範囲 | pp.21-24 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-07-16 (ED) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]