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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-10-27 13:30 化学気相堆積した窒化ホウ素炭素膜の形成条件の検討 ○小坂舞人・浦上法之・橋本佳男（信州大）  CPM2017-67 |
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| 抄録 | （和） | ワイドバンドギャップエネルギーを有する炭素系化合物半導体の実現に向けて、化学気相堆積法によりグラファイト状窒化炭素へホウ素を添加し窒化ホウ素炭素(BCN)膜を作製する方法を提案した。BCN膜はメラミンとアンモニアボランを前駆体としてc面サファイア基板上に基板温度を変え作製した。X線電子分光法から炭素、窒素及びホウ素の信号が検出された。基板温度の増加により、炭素の組成は減少しホウ素の組成は増加する傾向が見られ、ホウ素が炭素と置換して添加されることが示唆された。光吸収スペクトルよりホウ素組成の増加により吸収ピークが高エネルギー側にシフトする傾向が見られた。従って、メラミンとアンモニアボランを前駆体としてBCN膜の作製に成功した。 |
| （英） | Toward to realization of carbon-based compound semiconductors with wide energy bandgap, as a novel production method of boron carbon nitride (BCN) film, we have proposed an incorporation of B into graphite carbon nitride (g-C3N4) using chemical vapor deposition. BCN films were formed on c-plane sapphire substrate using melamine and ammonia borane powder as precursors. The substrate temperature was varied from 610 to 650 °C. B, C and N core levels from x-ray photoelectron spectroscopy were detected. Decreasing C composition and increasing B composition were achieved with the increase in the substrate temperature, indicating the incorporation of B atoms by substitution for C atoms. Optical absorptions peaks were shifted to high energy side by B incorporation, which indicates the successful formation of BCN films using melamine and ammonia borane powders as precursors. | |
| キーワード | （和） | BCN / g-C3N4 / CVD / XPS / / / / |
| （英） | BCN / g-C3N4 / CVD / XPS / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 268, CPM2017-67, pp. 1-4, 2017年10月. | |
| 資料番号 | CPM2017-67 | |
| 発行日 | 2017-10-20 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2017-67 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2017-10-27 - 2017-10-28 |
| 開催地（和） | 信州大学 長野(工学)キャンパス Ｅ７棟 3階 研修室 |
| 開催地（英） | Shinshu Univ. Nagano-Education Campus, E7 building 3F |
| テーマ（和） | 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2017-10-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 化学気相堆積した窒化ホウ素炭素膜の形成条件の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of formation conditions for boron carbon nitride film by chemical vapor deposition |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | BCN / BCN |
| キーワード(2)（和/英） | g-C3N4 / g-C3N4 |
| キーワード(3)（和/英） | CVD / CVD |
| キーワード(4)（和/英） | XPS / XPS |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小坂 舞人 / Maito Kosaka / コサカ マイト |
| 第1著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University. (略称： Shinshu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浦上 法之 / Noriyuki Urakami / ウラカミ ノリユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University. (略称： Shinshu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋本 佳男 / Yoshio Hashimoto / ハシモト ヨシオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University. (略称： Shinshu Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-10-27 13:30:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2017-67 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.268 |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-10-20 (CPM) |
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