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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-08-09 14:30 Si添加DLC薄膜への窒素添加の効果 中村和樹・大橋 遼（弘前大）・横山 大・田島圭一郎・遠藤則史・末光眞希（東北大）・遠田義晴・小林康之・鈴木裕史・○中澤日出樹（弘前大）  CPM2018-8 |
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| 抄録 | （和） | 希釈ガスにH_2を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したSi添加DLC(Si-DLC)薄膜の化学結合状態、電気的・光学的・機械的特性への窒素(N)添加効果について調べた。SiおよびNを共添加したDLC(Si-N-DLC)薄膜は窒素添加DLC(N-DLC)薄膜と比べて光学バンドギャップは大きかった。またSi-N-DLC薄膜の光学バンドギャップはN含有量の増加に伴い増加するのに対して、N-DLCの光学バンドギャップは減少した。また、Si-N-DLC/p型Siのヘテロ接合のI-V特性は整流性を示さなかったが、真空中ポストアニール後良好な整流特性を示した。 |
| （英） | We have investigated the effects of nitrogen (N) doping on the chemical bonding states and the electrical, optical, and mechanical properties of Si-doped DLC (Si-DLC) films, which were prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) using H_2 as a dilution gas. Si/N codoped DLC (Si-N-DLC) films had higher optical gaps than N-doped DLC (N-DLC) films. We found that the optical bandgap of the Si-N-DLC films showed an increasing trend with increasing N content, while that of the N-DLC films showed an opposite trend. The I-V characteristics of the Si-N-DLC/p-Si heterojunctions were not rectifying. It was found that after annealing the Si-N-DLC films in a vacuum, the heterojunctions provided good rectifying characteristics. | |
| キーワード | （和） | ダイヤモンドライクカーボン / プラズマ化学気相成長 / ケイ素 / 窒素 / / / / |
| （英） | Diamond-like carbon / Plasma-enhanced chemical vapor deposition / Silicon / Nitrogen / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 179, CPM2018-8, pp. 1-6, 2018年8月. | |
| 資料番号 | CPM2018-8 | |
| 発行日 | 2018-08-02 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2018-8 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2018-08-09 - 2018-08-10 |
| 開催地（和） | 弘前大学文京町地区キャンパス |
| 開催地（英） | Hirosaki Univ. |
| テーマ（和） | 電子部品・材料、一般 |
| テーマ（英） | Component Parts and Materials, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2018-08-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si添加DLC薄膜への窒素添加の効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of nitrogen doping on the properties of Si-doped DLC films |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ダイヤモンドライクカーボン / Diamond-like carbon |
| キーワード(2)（和/英） | プラズマ化学気相成長 / Plasma-enhanced chemical vapor deposition |
| キーワード(3)（和/英） | ケイ素 / Silicon |
| キーワード(4)（和/英） | 窒素 / Nitrogen |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 和樹 / Kazuki Nakamura / ナカムラ カズキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大橋 遼 / Haruka Oohashi / オオハシ ハルカ |
| 第2著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 横山 大 / Tai Yokoyama / ヨコヤマ タイ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田島 圭一郎 / Kei-ichiro Tajima / タジマ ケイイチロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 則史 / Norihumi Endo / エンドウ ノリフミ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 末光 眞希 / Maki Suemitsu / スエミツ マキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠田 義晴 / Yoshiharu Enta / エンタ ヨシハル |
| 第7著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 康之 / Yasuyuki Kobayashi / コバヤシ ヤスユキ |
| 第8著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 裕史 / Yushi Suzuki / スズキ ユウシ |
| 第9著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa / ナカザワ ヒデキ |
| 第10著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 講演者 | 第10著者 |
| 発表日時 | 2018-08-09 14:30:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2018-8 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.179 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-08-02 (CPM) |
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