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| 講演名 | 2018-10-24 14:25 大電力パルススパッタ法によるスピント型陰極作製における放電ガス（アルゴン、クリプトン）の効果 ○谷口日向・大家 溪・中野武雄（成蹊大）・長尾昌善・大崎 壽・村上勝久（産総研）  ED2018-27 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2018-27 |
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| 抄録 | （和） | スピント型エミッタは真空電子源のひとつである。この陰極は、上部にホールの開いた微細キャビティを基板上に形成し、ホールを通して陰極材料となる金属をキャビティ内部に堆積させて形成する。従来この堆積には真空蒸着法が用いられていたが、大面積化が困難、高融点金属では引っ張り応力緩和のために基板加熱が必要、などの制約があった。本研究では、粒子の入射方向やエネルギーの制御が可能な大電力パルススパッタ装置を用いた。高融点金属であるMoの陰極を形成できたが、逆に圧縮応力が強くなって膜が剥がれることが多く、デバイスを安定して作製することが困難であった。本研究では放電ガスにKrを用いて内部応力の緩和を試み、Arの場合と比較した。また基板に様々な値の負電圧を印加し、膜に生じる内部応力や陰極構造に与える影響について評価した。 |
| （英） | Spindt-type emitter is one of the vacuum electron sources prepared by semiconductor manufacturing technologies. On its fabrication, microcavities with a hole on their ceiling are prepared on a Si substrate, and an emitter material (e.g. Mo) is deposited through the hole inside of the cavity. Conventionally, the emitter cathode material has been deposited by using vacuum evaporation. This method, however, has difficulties in large area manufacturing and requires substrate heating to alleviate the tensile stress in the deposited films. In this study, we applied a high power pulsed magnetron sputtering (HPPMS) technique which can ionize the depositing particles and can control their direction and incidence energy. We have demonstrated the Mo emitter preparation at room temperature, but the reversed (compressive) stress frequently resulted in the delamination of the coatings and hindered the stable production of the device. In this study, we used Kr as a discharge gas to suppress the compressive stress of Mo films and compared the results with those prepared by conventional Ar gases. In addition, we applied various negative substrate voltages and investigated its effect on the film stress and the emitter structure. | |
| キーワード | （和） | スピント型エミッタ / 大電力パルススパッタ / 基板電位 / 内部応力 / / / / |
| （英） | Spindt-type emitter / HPPMS / Substrate voltage / Internal stress / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 263, ED2018-27, pp. 5-8, 2018年10月. | |
| 資料番号 | ED2018-27 | |
| 発行日 | 2018-10-17 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2018-27 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2018-27 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2018-10-24 - 2018-10-24 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 地下3階1号室 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2018-10-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 大電力パルススパッタ法によるスピント型陰極作製における放電ガス（アルゴン、クリプトン）の効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of discharge gas species (Ar, Kr) on fabrication of Spindt type emitter cathode using high power pulsed magnetron sputtering |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | スピント型エミッタ / Spindt-type emitter |
| キーワード(2)（和/英） | 大電力パルススパッタ / HPPMS |
| キーワード(3)（和/英） | 基板電位 / Substrate voltage |
| キーワード(4)（和/英） | 内部応力 / Internal stress |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷口 日向 / Hyuga Taniguchi / タニグチ ヒュウガ |
| 第1著者 所属（和/英） | 成蹊大学 (略称： 成蹊大) Seikei University (略称： Seikei Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大家 溪 / Kei Oya / オオヤ ケイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 成蹊大学 (略称： 成蹊大) Seikei University (略称： Seikei Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中野 武雄 / Takeo Nakano / ナカノ タケオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 成蹊大学 (略称： 成蹊大) Seikei University (略称： Seikei Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長尾 昌善 / Masayoshi Nagao / ナガオ マサヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大崎 壽 / Hisashi Ohsaki / オオサキ ヒサシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村上 勝久 / Katsuhisa Murakami / ムラカミ カツヒサ |
| 第6著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-10-24 14:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2018-27 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.263 |
| ページ範囲 | pp.5-8 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-10-17 (ED) |
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