講演抄録/キーワード |
講演名 |
2018-11-01 14:50
スパッタ法によるZnとAZOによる二層膜の検討 ○清水英彦・岩野春男・川上貴浩・福嶋康夫・永田向太郎・坪井 望(新潟大) CPM2018-45 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2018-45 |
抄録 |
(和) |
Ⅲ族元素をドープしたZnOの薄膜は,低抵抗の膜となることから,ITO薄膜に代わる透明導電膜用材料として注目されている。そこで本研究室ではこれまで,ZnOに数wt.%のAlを添加したAZO焼結体ターゲットを用い,スパッタ法により,AZO薄膜の検討を行ってきた。しかし,8×10-4Ω・cmより小さい抵抗率のAZO薄膜を得ることができなかった。そこで本検討では,DC放電によるマグネトロンスパッタ法を用いて,基板上にZn膜を堆積し,その上にAZO薄膜を堆積する方法にて,AZO膜にZnを取り込ませる方法にて,AZO薄膜の抵抗率の低下の検討を行った。その結果,Zn膜を堆積した後,基板温度を室温から上昇させたときに,基板からZn膜のほとんどが剥離してしまい,AZO膜にZnを取り込ませることは困難であると考えられ,この方法では,膜の抵抗率を低下させることができないことが分かった。 |
(英) |
In order to preparation of Zn doped AZO film, deposition of AZO films on Zn films were attempted by dc magnetron sputtering method. As a result, when the substrate temperature was raised from the room temperature after Zn film was deposited on the glass substrate, a Zn film detached from a glass substrate. For this reason, it was difficulty that Zn doped AZO film was prepared by deposition of AZO films on Zn films. |
キーワード |
(和) |
AZO / 亜鉛 / 酸素 / マグネトロンスパッタ法 / / / / |
(英) |
AZO / Zinc / Oxygen / Magnetron Sputtering / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 118, no. 276, CPM2018-45, pp. 21-24, 2018年11月. |
資料番号 |
CPM2018-45 |
発行日 |
2018-10-25 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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