講演抄録/キーワード |
講演名 |
2018-11-02 11:40
多結晶Si基板上に形成したGaN系ナノ柱状結晶の微細構造 ○佐藤祐一・齋藤嘉一・佐藤勝彦・齋藤 宇・藤原亜斗武・齋藤 翼(秋田大) CPM2018-51 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2018-51 |
抄録 |
(和) |
太陽電池に多用されている多結晶Siウェハを基板としてGaN系半導体のナノ柱状結晶を形成した.その微細構造を走査型および透過型電子顕微鏡により観察し,ナノ柱状結晶の結晶性について明らかにした.また,カソードルミネセンスにより発光特性を評価した. |
(英) |
GaN-based nanopillar-shaped crystals were grown on a multicrystalline Si wafer which is frequently used for preparations of solar cells. Microstructures of the nanocrystals were observed by scanning and transmission electron microscopies, and their crystallinities were made clear. Moreover, their optical emission properties were evaluated by a cathodoluminescence method. |
キーワード |
(和) |
GaN / ナノ柱状結晶 / 多結晶Si / 微細構造 / / / / |
(英) |
GaN / nanopillar-shaped crystal / multicrystalline Si / microstructure / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 118, no. 276, CPM2018-51, pp. 75-80, 2018年11月. |
資料番号 |
CPM2018-51 |
発行日 |
2018-10-25 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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