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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-12-06 17:10 III-V/Siハイブリッド集積に向けた二段テーパ構造の高光結合効率 ○菊地健彦（住友電工/東工大）・鈴木純一・立花文人（東工大）・井上尚子・八木英樹（住友電工）・Moataz Eissa・御手洗拓矢・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大）  OPE2018-129 LQE2018-139 SIPH2018-45 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2018-129 LQE2018-139 |
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| 抄録 | （和） | III-V族半導体から成るアクティブ素子とSiフォトニクスのハイブリッド集積技術は，小型，高速かつ，低消費電力な次世代の光集積回路実現に向けて有望である．我々はこれまでに, 窒素プラズマ活性化接合を用いてGaInAsP/Silicon-On-Insulatorハイブリッド集積光素子を実現している．今後の更なる素子の高性能化に向けては, InP系活性領域とSi導波路との光結合の高効率化が課題となっていた．本稿では，Si導波路とIII-V/Siハイブリッド部の光結合部分をi線ステッパプロセス作製法を用いて二段テーパ構造とすることにより，86%の高効率結合を実現したのでご報告する． |
| （英） | The hybrid integration utilizing III-V based active devices with Si-Photonics is very attractive to realize new-generation photonic integrated circuits (PICs) with a small-footprint, high-speed response, and low power dissipation. GaInAsP/ Silicon-On-Insulator (SOI) hybrid photonic integrations have been realized using N2 plasma activated bonding (PAB) processes. In addition, high optical coupling efficiency between the InP-based active section and Si-waveguides is a key issue for the realization of high-performance photonic devices. High optical coupling efficiency between them of 86% was realized by using the i-line stepper lithography process. | |
| キーワード | （和） | III-V/Siハイブリッド集積 / 二段テーパ導波路構造 / プラズマ活性化接合 / InP / Siフォトニクス / / / |
| （英） | III-V/Si hybrid integration / Double taper-type coupler structure / Plasma activated bonding / InP / Si-Photonics / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 348, OPE2018-129, pp. 161-164, 2018年12月. | |
| 資料番号 | OPE2018-129 | |
| 発行日 | 2018-11-29 (OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OPE2018-129 LQE2018-139 SIPH2018-45 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2018-129 LQE2018-139 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE OPE SIPH |
| 開催期間 | 2018-12-06 - 2018-12-07 |
| 開催地（和） | 慶應義塾大学 |
| 開催地（英） | Keio University |
| テーマ（和） | Photonic Device Workshop (半導体レーザ関連技術, パッシブデバイス技術, シリコンフォトニクス) |
| テーマ（英） | Photonic Device Workshop |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OPE |
| 会議コード | 2018-12-LQE-OPE-SIPH |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | III-V/Siハイブリッド集積に向けた二段テーパ構造の高光結合効率 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High optical coupling efficiency by double taper-type coupler structure towards III-V/Si hybrid photonic integration |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | III-V/Siハイブリッド集積 / III-V/Si hybrid integration |
| キーワード(2)（和/英） | 二段テーパ導波路構造 / Double taper-type coupler structure |
| キーワード(3)（和/英） | プラズマ活性化接合 / Plasma activated bonding |
| キーワード(4)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(5)（和/英） | Siフォトニクス / Si-Photonics |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菊地 健彦 / Takehiko Kikuchi / キクチ タケヒコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社/東京工業大学 (略称： 住友電工/東工大) Sumitomo Electric Industries, Ltd./Tokyo Institute of Technology (略称： SEI/Tokyo Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 純一 / Junichi Suzuki / スズキ ジュンイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 立花 文人 / Fumihito Tachibana / タチバナ フミヒト |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 尚子 / Naoko Inoue / イノウエ ナオコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) Sumitomo Electric Industries, Ltd. (略称： SEI) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 八木 英樹 / Hideki Yagi / ヤギ ヒデキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) Sumitomo Electric Industries, Ltd. (略称： SEI) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | Moataz Eissa / Moataz Eissa / |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 御手洗 拓矢 / Takuya Mitarai / ミタライ タクヤ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 雨宮 智宏 / Tomohiro Amemiya / アメミヤ トモヒロ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西山 伸彦 / Nobuhiko Nishiyama / ニシヤマ ノブヒコ |
| 第9著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒井 滋久 / Shigehisa Arai / アライ シゲヒサ |
| 第10著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-12-06 17:10:00 |
| 発表時間 | 80分 |
| 申込先研究会 | OPE |
| 資料番号 | OPE2018-129, LQE2018-139, SIPH2018-45 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.348(OPE), no.349(LQE) |
| ページ範囲 | pp.161-164 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-11-29 (OPE, LQE) |
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