講演抄録/キーワード |
講演名 |
2019-11-07 15:00
窒素を添加したDLC膜特性へのアニール効果 ○長内公哉・中村和樹・郡山春人・小林康之・遠田義晴・鈴木裕史(弘前大)・末光眞希(東北大)・中澤日出樹(弘前大) CPM2019-46 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2019-46 |
抄録 |
(和) |
希釈ガスにH2を用いたプラズマ化学気相成長法により窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(N-DLC)膜を作製し、真空中ポストアニールが膜特性に及ぼす影響について調べた。235~270°Cの真空中ポストアニールによって、光学バンドギャップはわずかに増加した。これは、バンドギャップ中の欠陥準位密度が減少したことを示唆する。一方420~490°Cの真空中ポストアニールによって、光学バンドギャップは減少した。このとき、膜中の結合水素量が減少し、sp2C=Cの増加およびsp2炭素のクラスター化が促進されていることがわかった。N-DLC/p型Siヘテロ接合の電流電圧特性を調べた結果、490°Cのアニールを施したN-DLC/p型Siヘテロ接合の整流比が最も大きくなった。 |
(英) |
We have prepared nitrogen doped diamond-like carbon (N-DLC) films by plasma-enhanced chemical vapor deposition using H2 as a dilution gas and investigated the effects of post-annealing in a vacuum on the film properties. We found that optical bandgap slightly increased after post-annealing at 235 to 270°C, suggesting that the density of defect levels in bandgap decreased. On the other hand, it was found that the optical bandgap decreased after post-annealing at 420 to 490°C. At these temperatures, the amount of bound hydrogen in the films tended to decrease, whereas sp2C=C bonds increased and their clustering was enhanced. We examined the current-voltage characteristics of N-DLC/p-type Si heterojunctions and found that the heterojunction annealed at 490°C exhibited the highest rectification ratio. |
キーワード |
(和) |
ダイヤモンドライクカーボン / プラズマ化学気相成長 / 窒素 / ポストアニール / / / / |
(英) |
Diamond-like carbon / Plasma-enhanced chemical vapor deposition / Nitrogen / Post-annealing / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 119, no. 271, CPM2019-46, pp. 9-14, 2019年11月. |
資料番号 |
CPM2019-46 |
発行日 |
2019-10-31 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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