講演抄録/キーワード |
講演名 |
2019-11-21 10:10
ZnOのALD成長での平坦薄膜成長条件の調査 ○山本 燎・加納寛人・中村篤志・居波 渉(静岡大) ED2019-33 CPM2019-52 LQE2019-76 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2019-33 CPM2019-52 LQE2019-76 |
抄録 |
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キーワード |
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文献情報 |
信学技報, vol. 119, no. 303, CPM2019-52, pp. 1-4, 2019年11月. |
資料番号 |
CPM2019-52 |
発行日 |
2019-11-14 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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研究会情報 |
研究会 |
CPM LQE ED |
開催期間 |
2019-11-21 - 2019-11-22 |
開催地(和) |
静岡大学(浜松) |
開催地(英) |
Shizuoka Univ. (Hamamatsu) |
テーマ(和) |
窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
テーマ(英) |
Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
CPM |
会議コード |
2019-11-CPM-LQE-ED |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
ZnOのALD成長での平坦薄膜成長条件の調査 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Investigation of flat thin film growth conditions in ALD growth of ZnO |
サブタイトル(英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
山本 燎 / Ryo Yamamoto / ヤマモト リョウ |
第1著者 所属(和/英) |
静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
加納 寛人 / Hiroto Kano / カノウ ヒロト |
第2著者 所属(和/英) |
静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
中村 篤志 / Atsushi Nakamura / |
第3著者 所属(和/英) |
静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
居波 渉 / Wataru Inami / イナミ ワタル |
第4著者 所属(和/英) |
静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2019-11-21 10:10:00 |
発表時間 |
20分 |
申込先研究会 |
CPM |
資料番号 |
ED2019-33, CPM2019-52, LQE2019-76 |
巻番号(vol) |
vol.119 |
号番号(no) |
no.302(ED), no.303(CPM), no.304(LQE) |
ページ範囲 |
pp.1-4 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2019-11-14 (ED, CPM, LQE) |