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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2020-01-28 13:00 ［招待講演］重アンモニアを用いた高信頼性メモリセル絶縁膜の形成 ○野口将希・磯貝達典・山下博幸・澤 敬一・藤塚良太・山中孝紀・岡田俊祐・青山知憲・相宗史記・阿部淳子・小川義宏・中川聖士・宮島秀史（キオクシア）  SDM2019-82 |
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| 抄録 | （和） | 信頼性の高い不揮発性メモリを実現するために、メモリセル絶縁膜の電荷保持特性の向上が望まれている。セル絶縁膜の一部であるトンネル絶縁膜(TNL-SiON)と電荷蓄積膜(CT-SiN)の原子層堆積中において、アンモニア(NH3)の代わりに重アンモニア(ND3)を窒化剤として用いることで、膜中のダングリングボンドを水素ではなく重水素で終端することに成功した。本報では、重アンモニアを用いたSiON膜とSiN膜について、膜中の重水素に関する物理解析結果を報告する。さらに、重アンモニアを用いて成膜したTNL-SiON膜およびCT-SiN膜を適用したMONOSキャパシタを作製し、書込み・消去動作に対する電気ストレス耐性や電荷保持特性が向上した結果も報告する。 |
| （英） | For high reliability non-volatile memory cell dielectrics, hydrogen-free deuterated tunnel SiON and charge-trap SiN films are demonstrated. By using deuterated ammonia (ND3) instead of ammonia (NH3) as nitridation species in ALD cycles, an ultra-high deuterium/hydrogen ratio has been successfully obtained in both films, and these films showed good endurance for program / erase stress and data retention properties in MONOS capacitors. | |
| キーワード | （和） | セル信頼性 / 重アンモニア / 重水素 / 水素 / 原子層堆積 / 電荷保持特性 / / |
| （英） | Reliability / ND3 / Deuterium / Hydrogen / ALD / Data Retention / DR / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 397, SDM2019-82, pp. 1-4, 2020年1月. | |
| 資料番号 | SDM2019-82 | |
| 発行日 | 2020-01-21 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2019-82 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2020-01-28 - 2020-01-28 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2020-01-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 重アンモニアを用いた高信頼性メモリセル絶縁膜の形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of High Reliability Hydrogen-free MONOS Cells Using Deuterated Ammonia |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | セル信頼性 / Reliability |
| キーワード(2)（和/英） | 重アンモニア / ND3 |
| キーワード(3)（和/英） | 重水素 / Deuterium |
| キーワード(4)（和/英） | 水素 / Hydrogen |
| キーワード(5)（和/英） | 原子層堆積 / ALD |
| キーワード(6)（和/英） | 電荷保持特性 / Data Retention |
| キーワード(7)（和/英） | / DR |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野口 将希 / Masaki Noguchi / ノグチ マサキ |
| 第1著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia Corporation (略称： KIOXIA) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 磯貝 達典 / Tatsunori Isogai / イソガイ タツノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia Corporation (略称： KIOXIA) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 博幸 / Hiroyuki Yamashita / ヤマシタ ヒロユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia Corporation (略称： KIOXIA) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 澤 敬一 / Keiichi Sawa / サワ ケイイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia Corporation (略称： KIOXIA) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤塚 良太 / Ryota Fujitsuka / フジツカ リョウタ |
| 第5著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia Corporation (略称： KIOXIA) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山中 孝紀 / Takanori Yamanaka / ヤマナカ タカノリ |
| 第6著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia Corporation (略称： KIOXIA) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 俊祐 / Shunsuke Okada / オカダ シュンスケ |
| 第7著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia Corporation (略称： KIOXIA) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 青山 知憲 / Tomonori Aoyama / アオヤマ トモノリ |
| 第8著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia Corporation (略称： KIOXIA) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 相宗 史記 / Fumiki Aiso / アイソウ フミキ |
| 第9著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia Corporation (略称： KIOXIA) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 阿部 淳子 / Junko Abe / アベ ジュンコ |
| 第10著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia Corporation (略称： KIOXIA) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小川 義宏 / Yoshiro Ogawa / オガワ ヨシヒロ |
| 第11著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia Corporation (略称： KIOXIA) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中川 聖士 / Seiji Nakagawa / ナカガワ セイジ |
| 第12著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia Corporation (略称： KIOXIA) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮島 秀史 / Hideshi Miyajima / ミヤジマ ヒデシ |
| 第13著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia Corporation (略称： KIOXIA) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-01-28 13:00:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2019-82 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.397 |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-01-21 (SDM) |
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