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講演抄録/キーワード
講演名 2020-10-29 16:40
抵抗変化メモリに適用可能なZrO2膜の低温作製
佐藤 勝川合祐貴向井高幸武山真弓北見工大CPM2020-21
抄録 (和) 抵抗変化メモリに適用可能な絶縁膜を形成するために、我々は、ZrO2膜の低温作製を行ってきた。本研究で得られたZrO2膜は、XRDパターンからmonoclinicのZrO2(m-ZrO2)とtetragonalのZrO2(t-ZrO2)に相当する回折線が見られたものの、安定相であるmonoclinic-ZrO2相が主体となっていることがわかった。さらに、Cu/ZrO2/Pt構造を作製し、そのI-V特性について検討したところ、低電流値のバイポーラスイッチング特性が得られることが明らかとなった。 
(英) In order to form insulating films applicable to resistive random access memory, we have prepared low-temperature-deposition of ZrO2 film. From XRD results, diffraction lines corresponding to monoclinic ZrO2 (m-ZrO2) and tetragonal ZrO2 (t-ZrO2) phases were seen. XRD results showed that the obtained ZrO2 film consists of mainly stable m-ZrO2 phase. Furthermore, we can demonstrate that the Cu/ZrO2/Pt structure has bipolar switching property with low current values.
キーワード (和) 抵抗変化メモリ / ZrO2膜 / バイポーラスイッチング特性 / / / / /  
(英) Resistive random access memory / ZrO2 film / Bipolar switching property / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 120, no. 217, CPM2020-21, pp. 38-40, 2020年10月.
資料番号 CPM2020-21 
発行日 2020-10-22 (CPM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2020-21

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2020-10-29 - 2020-10-29 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2020-10-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 抵抗変化メモリに適用可能なZrO2膜の低温作製 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Preparation of low-temperature-deposited ZrO2 film applicable to RRAM 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 抵抗変化メモリ / Resistive random access memory  
キーワード(2)(和/英) ZrO2膜 / ZrO2 film  
キーワード(3)(和/英) バイポーラスイッチング特性 / Bipolar switching property  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 勝 / Masaru Sato / サトウ マサル
第1著者 所属(和/英) 北見工業大学 (略称: 北見工大)
Kitami Institute of Technology (略称: Kitami Inst. of tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 川合 祐貴 / Yuki Kawai / カワイ ユウキ
第2著者 所属(和/英) 北見工業大学 (略称: 北見工大)
Kitami Institute of Technology (略称: Kitami Inst. of tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 向井 高幸 / Takayuki Mukai / ムカイ タカユキ
第3著者 所属(和/英) 北見工業大学 (略称: 北見工大)
Kitami Institute of Technology (略称: Kitami Inst. of tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 武山 真弓 / Mayumi B. Takeyama / タケヤマ マユミ
第4著者 所属(和/英) 北見工業大学 (略称: 北見工大)
Kitami Institute of Technology (略称: Kitami Inst. of tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2020-10-29 16:40:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2020-21 
巻番号(vol) vol.120 
号番号(no) no.217 
ページ範囲 pp.38-40 
ページ数
発行日 2020-10-22 (CPM) 


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